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FDMS2504SDC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@1mA 119nC@ 10V 1个N沟道 25V 1.25mΩ@ 32A,10V 49A 7.77nF@13V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: CY-FDMS2504SDC
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS2504SDC

FDMS2504SDC概述

    FDMS2504SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    FDMS2504SDC 是一款双通道 N 沟道 MOSFET,采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造。它具有出色的低导通电阻(rDS(on))特性,并配备同步整流肖特基二极管。
    主要功能:
    - 极低的导通电阻 rDS(on),最高为 1.25 mΩ(VGS = 10 V 时),在 VGS = 4.5 V 时可达 1.75 mΩ。
    - 高性能技术确保低 rDS(on),并保持优秀的开关性能。
    - 引入同步整流肖特基体二极管,增强效率。
    应用领域:
    - 同步整流用于 DC/DC 转换器。
    - 电信二次侧整流。
    - 高端服务器/工作站的低侧 MOSFET。

    2. 技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 25 | - | - | V |
    | ID | 持续漏电流 | - | 49 | - | A |
    | RDS(ON) | 导通电阻 | - | 1.25 @ VGS=10V, ID=32A | - | mΩ |
    | PD | 功耗 | - | 104 | - | W |
    | TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | -55 | - | 150 | °C |
    | RθJA | 结到环境热阻 | 16 | - | 81 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 双 CoolTM 顶部冷却 PQFN 封装,提供卓越的散热能力。
    - 采用先进的 PowerTrench® 工艺,确保极低的 rDS(on) 和出色的开关性能。
    - 内置高效单片肖特基体二极管,提升整体效率。
    - 符合 RoHS 标准,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    FDMS2504SDC 适用于各种高效率电源转换应用,如 DC/DC 转换器、服务器和工作站电源系统。例如,在电信系统的二次侧整流中,这种 MOSFET 可以显著提高效率并减少发热。
    使用建议:
    - 在高电流密度应用中,选择合适的 PCB 布局以优化热管理。
    - 在脉冲应用中,应注意脉冲宽度和占空比的限制,避免超载。
    - 为了更好的散热效果,可以使用散热器或铝制外壳。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    FDMS2504SDC 与多种电路设计兼容,尤其适合集成同步整流器的电路。制造商 Fairchild Semiconductor 提供详细的技术文档和应用指南,确保用户能够轻松地将该器件整合到现有设计中。
    支持和维护:
    Fairchild Semiconductor 通过其全球分销网络提供全面的技术支持和服务。对于需要进一步技术支持的客户,可以通过技术支持热线或官方网站获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 超过最大工作温度 | 使用散热器或其他散热措施,降低环境温度。 |
    | 过热保护启动 | 检查 PCB 设计和散热策略,确保良好的热管理。 |
    | 瞬态电流过大 | 调整电路中的电感值和驱动信号,避免瞬态电流超出额定值。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    FDMS2504SDC 凭借其优异的导通电阻和高性能的同步整流肖特基体二极管,成为一款非常理想的 MOSFET 产品。其独特的双 CoolTM 顶部冷却技术和高效的 PowerTrench® 工艺使得该产品在同类产品中具有明显的优势。
    推荐:
    强烈推荐使用 FDMS2504SDC 于对功率密度和效率要求较高的应用场合,尤其是在电信和高端服务器领域。此外,Fairchild Semiconductor 的全方位技术支持也使得这款产品更加可靠易用。

FDMS2504SDC参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.77nF@13V
Id-连续漏极电流 49A
Vds-漏源极击穿电压 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.25mΩ@ 32A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 119nC@ 10V
通道数量 2
配置
最大功率耗散 3.3W(Ta),104W(Tc)
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDMS2504SDC厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS2504SDC数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS2504SDC FDMS2504SDC数据手册

FDMS2504SDC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.7949 ¥ 15.3035
100+ $ 1.7626 ¥ 15.1668
300+ $ 1.7464 ¥ 15.0302
500+ $ 1.7302 ¥ 14.8936
1000+ $ 1.6817 ¥ 14.2104
5000+ $ 1.6817 ¥ 14.2104
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