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NTP5862NG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 20V 4V@ 250µA 82nC@ 10 V 1个N沟道 60V 5.7mΩ@ 45A,10V 98A 6nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: CY-NTP5862NG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTP5862NG

NTP5862NG概述


    产品简介


    NTD5862N 和 NTP5862N MOSFET 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,专为高电流需求的应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和高连续漏极电流能力,适用于各种工业和消费电子设备中的开关和调节应用。

    技术参数


    - 电压范围: 最大漏源电压 (VDSS) 为 60V。
    - 电流范围: 连续漏极电流 (ID) 可达 98A(在 TC = 25°C 下),最高可达 69A(在 TC = 100°C 下)。
    - 功率耗散: 在 TC = 25°C 下的最大功率耗散 (PD) 为 115W。
    - 脉冲电流: 最大脉冲漏极电流 (IDM) 为 335A(10μs 脉冲宽度)。
    - 热阻: 结到壳体热阻 (RΘJC) 为 1.3°C/W。
    - 温度范围: 工作和存储温度范围为 -55°C 至 175°C。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 典型 RDS(on) 仅为 5.7mΩ(在 VGS = 10V 下),使得该器件非常适合于需要低损耗和高效率的应用。
    - 高电流能力: 高达 98A 的连续漏极电流,使其能够处理大量的电流,适合应用于电源管理和电机驱动。
    - 100% 冲击测试: 确保其可靠性,符合 RoHS 和无铅标准。
    - 封装多样: 支持多种封装形式,如 IPAK 和 DPAK,便于不同应用场景下的安装。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器: 利用其低导通电阻和高电流能力,可显著提高电源转换器的效率。
    - 电机驱动: 适用于需要高电流输出的电机驱动系统,提供可靠的电流控制和低损耗。
    - 直流-直流转换器: 在高频应用中,利用其快速的开关特性来减少开关损耗,提高转换效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于其高电流能力,合理的设计散热片和风扇对于确保器件稳定运行至关重要。
    - 电路保护: 使用过流和过压保护电路,以防止瞬态电流对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性: 支持多种封装形式(如 IPAK 和 DPAK),便于集成到不同的电路板设计中。
    - 制造商支持: 提供详细的技术文档和用户指南,可通过 ON Semiconductor 官方网站获取。

    常见问题与解决方案


    - 问: 电源转换器中的导通电阻如何影响效率?
    - 答: 导通电阻越小,转换过程中的损耗越少,效率越高。因此,选择低 RDS(on) 的 MOSFET 对于提高电源转换器的效率非常重要。

    - 问: 如何确保设备的散热问题?
    - 答: 设计散热系统时,可以考虑增加散热片或采用风扇冷却方式,以有效降低器件工作温度,确保其长期稳定运行。

    总结和推荐


    NTD5862N 和 NTP5862N MOSFET凭借其低导通电阻、高电流能力和可靠的电气特性,成为高性能开关和电机驱动应用的理想选择。这些器件的多样化封装和全面的技术支持使其易于集成到现有设计中,同时满足严格的工业标准。因此,强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效能和高可靠性的应用场景中。

NTP5862NG参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.7mΩ@ 45A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 98A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 82nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@25V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

NTP5862NG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTP5862NG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTP5862NG NTP5862NG数据手册

NTP5862NG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8401 ¥ 7.2292
300+ $ 0.8324 ¥ 7.1641
500+ $ 0.8247 ¥ 7.0989
1000+ $ 0.8016 ¥ 6.7733
5000+ $ 0.8016 ¥ 6.7733
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