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FDZ375P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.7W(Ta) 8V 1.2V@ 250µA 15nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 78mΩ@ 2A,4.5V 3.7A 865pF@10V BGA 贴片安装 1mm*1mm*150μm
供应商型号: FL-FDZ375P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDZ375P

FDZ375P概述

    FDZ375P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET

    产品简介


    FDZ375P 是一种由Fairchild Semiconductor生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的1.5 V PowerTrench®工艺和超薄晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)技术。这款MOSFET以其紧凑的体积和低导通电阻而著称,非常适合用于电池管理和负载开关等应用领域。

    技术参数


    - 最大击穿电压:VDS = -20 V
    - 最大栅源电压:VGS = ±8 V
    - 连续电流:ID = -3.7 A(TA = 25°C)
    - 功率耗散:PD = 1.7 W(TA = 25°C,附带铜箔散热条件)
    - 热阻抗:RθJA = 75°C/W(附带铜箔散热条件)
    - 最高存储温度:TSTG = -55至+150°C
    - 最大导通电阻:rDS(on) 最大值为150 mΩ(VGS = -1.5 V,ID = -1.0 A)
    - 输入电容:Ciss = 865 pF(VDS = -10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)

    产品特点和优势


    FDZ375P 具有多项显著特点和优势:
    - 超小封装:仅占用1.0mm²的电路板面积,仅为2x2 BGA面积的30%。
    - 超薄设计:安装到电路板上的高度小于0.4 mm,适用于空间受限的设计。
    - 低导通电阻:在不同电压下的导通电阻范围从78 mΩ到150 mΩ。
    - RoHS合规:符合环保标准,适用于绿色电子产品。
    - 先进的工艺:采用Fairchild先进的PowerTrench®工艺和细间距薄型WL-CSP包装工艺。

    应用案例和使用建议


    FDZ375P MOSFET 主要应用于电池管理、负载开关及电池保护等领域。根据技术手册中的数据,该产品在典型电池管理应用中表现出色。例如,在电池管理系统的负载开关中,可以有效减少电源损耗并提高效率。
    使用建议:
    - 在进行负载开关设计时,应确保充分考虑温度对导通电阻的影响,以避免过高的温升。
    - 鉴于其超小的封装尺寸,需仔细规划PCB布局以避免电磁干扰(EMI)问题。

    兼容性和支持


    FDZ375P 兼容现有的多种电路设计,尤其适合需要紧凑型解决方案的应用。制造商提供了详尽的技术支持,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下列出了部分常见问题及其解决方法:
    - 问题:如何确保最佳的散热效果?
    - 解答:在电路设计时选用较大面积的铜箔散热,并确保良好的空气流通。
    - 问题:导通电阻随温度变化较大,如何优化系统性能?
    - 解答:通过调整系统设计来补偿温度对导通电阻的影响,例如使用额外的温度传感器进行实时监控。

    总结和推荐


    综上所述,FDZ375P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET 以其卓越的性能、小巧的体积和广泛的适用性成为了一款非常有吸引力的产品。它不仅能满足各种电池管理和负载开关的需求,还具备出色的热管理和超低的导通电阻,适合多种电路设计。
    基于以上各项指标和技术特点,我们强烈推荐FDZ375P MOSFET 给需要高效、紧凑解决方案的设计工程师。该产品不仅表现优异,且兼容性好,易于集成,是实现高效电路设计的理想选择。

FDZ375P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 865pF@10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 3.7A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 78mΩ@ 2A,4.5V
配置 独立式
最大功率耗散 1.7W(Ta)
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 15nC@ 4.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
长*宽*高 1mm*1mm*150μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

FDZ375P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDZ375P数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDZ375P FDZ375P数据手册

FDZ375P封装设计

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