处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD8896

FDD8896

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 94 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2454154
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD8896

FDD8896概述

    # FDD8896/FDU8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    基本介绍
    FDD8896 和 FDU8896 是一款高性能 N-Channel PowerTrench® MOSFET(功率场效应晶体管),具有低导通电阻(rDS(ON))、低门极电荷和快速开关速度。它们专为改善直流-直流(DC/DC)转换器的效率而设计,适用于同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。该系列产品能够显著降低功耗并提高系统的整体效率,广泛应用于电源管理领域。
    主要功能
    - 低导通电阻:rDS(ON) = 5.7 mΩ(VGS = 10V, ID = 35A),rDS(ON) = 6.8 mΩ(VGS = 4.5V, ID = 35A)
    - 高电流承载能力:连续漏极电流可达 94A,脉冲电流能力达 1000A。
    - 高可靠性:通过严格的雪崩耐受测试,确保在恶劣条件下正常运行。
    应用领域
    - DC/DC 转换器
    - 高频开关电源
    - 电池充电电路
    - 汽车电子系统
    - 工业控制设备

    技术参数


    基本参数
    | 参数名称 | 数值 | 单位 |
    |
    | 栅极到源极电压 | ±20 | V |
    | 击穿电压 | 30 | V |
    | 最大持续漏极电流 | 94 | A |
    | 最大脉冲电流 | 1000 | A |
    热特性
    | 参数名称 | 数值 | 单位 |
    |
    | 结到外壳热阻 | 1.88 | °C/W |
    | 结到环境热阻 | 100 | °C/W |
    | 结到环境热阻(铜垫)| 52 | °C/W |
    动态参数
    | 参数名称 | 数值 | 单位 |
    |
    | 输入电容 | 2525 | pF |
    | 输出电容 | 490 | pF |
    | 反向传输电容 | 300 | pF |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高能效:采用先进的 PowerTrench® 技术,使得 rDS(ON) 达到业内领先水平,有效降低损耗。
    2. 快速开关:低门极电荷(Qg)设计,显著减少开关时间,提升系统效率。
    3. 强电流处理能力:具备高达 94A 的连续漏极电流和 1000A 的脉冲电流能力,适用于高功率需求场景。
    市场竞争力
    - 优化的电气特性:优异的雪崩耐受能力和动态性能,使其适用于严苛的工作环境。
    - 广泛的应用适应性:从消费电子到工业控制,FDD8896/FDU8896 在多种场景下均表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器电源:作为高频开关电源的核心组件,显著提升服务器电源的整体效率。
    2. 汽车电子:用于车载电池管理系统(BMS),实现高效稳定的电池充电与放电控制。
    3. 通信设备:用于通信基站的 DC/DC 转换器,提供高可靠性和长寿命。
    使用建议
    - 散热设计:由于该器件的热阻较高,在大电流工作时需要加强散热措施,如添加外部散热片或增大 PCB 板的铜箔面积。
    - 布局优化:尽量缩短引脚长度以减少寄生电感,特别是在高频应用中。
    - 保护电路:为防止过压和过流,建议在电路中加入保护电路,如瞬态抑制二极管(TVS)和保险丝。

    兼容性和支持


    兼容性
    - FDD8896 和 FDU8896 支持主流的 SMD 封装(TO-252 和 TO-251),便于集成到现有设计中。
    - 其电气特性和机械特性与市面上常见的同类产品高度兼容,易于替换升级。
    厂商支持
    Fairchild 提供详尽的技术文档和支持服务,包括 SPICE 模型、热阻曲线及典型应用电路,方便客户进行设计验证和优化。

    常见问题与解决方案


    问题 1:过温保护失效
    现象:芯片温度过高导致损坏。
    解决方案:
    - 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片。
    - 使用更大的铜箔面积以降低热阻。
    问题 2:开关频率异常
    现象:开关频率波动明显。
    解决方案:
    - 检查门极驱动电阻是否匹配。
    - 确保电路板布局合理,避免寄生电感的影响。
    问题 3:输出不稳定
    现象:输出电压波动较大。
    解决方案:
    - 检查输入电压稳定性。
    - 添加滤波电容以平滑输出电压。

    总结和推荐


    综合评估
    FDD8896/FDU8896 是一款性能卓越的 N-Channel PowerTrench® MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关特性和强大的电流处理能力,成为 DC/DC 转换器的理想选择。其广泛的应用场景和出色的兼容性进一步增强了其市场竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐使用 FDD8896/FDU8896 在需要高效能和高可靠性的电源管理场景中。对于需要大功率、高频工作的应用,该产品无疑是最佳选择之一。同时,Fairchild 提供的全面技术支持也将极大简化开发流程,加速产品上市时间。

FDD8896参数

参数
最大功率耗散 120W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.89nF@ 25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 33nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 80V
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 23A,10V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 30A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD8896厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD8896数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD8896 FDD8896数据手册

FDD8896封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 5.5749
10+ ¥ 4.2234
100+ ¥ 3.7841
500+ ¥ 3.7166
2500+ ¥ 3.649
7500+ ¥ 3.649
20000+ ¥ 3.649
37500+ ¥ 3.649
库存: 85
起订量: 15 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336