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NTMFS015N15MC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=150 V, 61 A, PQFN8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: FL-NTMFS015N15MC
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS015N15MC

NTMFS015N15MC概述

    NTMFS015N15MC MOSFET - N-Channel 技术手册解析

    产品简介


    NTMFS015N15MC 是一款高性能的N沟道屏蔽栅功率MOSFET,属于PowerTrench系列。该器件具有紧凑的设计(5x6毫米封装),适用于同步整流、交流-直流电源、适配器(USB PD)以及负载开关等应用。该器件的特点是低导通电阻(RDS(on))和小尺寸,旨在降低系统的传导损耗和驱动损耗,提高整体能效。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDSS): 150 V
    - 最大连续漏电流(ID): 61 A(TJ=25°C)
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 302 A(tc=25°C, tp=100μs)
    - 高温储存温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): 150 V(VGS=0V, ID=250μA)
    - 栅源泄漏电流(IGSS): ±100 nA(VDS=0V, VGS=±20V)
    - 导通电阻(RDS(on)): 14 mΩ(VGS=10V, ID=29A)
    - 输入电容(CISS): 2120 pF(VGS=0V, f=1MHz, VDS=75V)
    - 热特性:
    - 结壳热阻(RJC): 1.15°C/W
    - 结到环境热阻(RJA): 50°C/W(表面安装在1平方英寸的2盎司铜板上)

    产品特点和优势


    - 小尺寸:NTMFS015N15MC 封装尺寸仅为5x6毫米,非常适合空间受限的应用场景。
    - 低导通电阻:RDS(on)为14 mΩ(VGS=10V, ID=29A),可显著减少传导损耗。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷QG(TOT)仅为27 nC,有助于降低驱动损耗。
    - 高可靠性:100%通过单脉冲雪崩测试,确保产品在严苛环境下的稳定性。
    - 环保设计:无铅、无卤素/溴化阻燃剂,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:在高频开关电源中用于减少二极管的导通损耗,提高转换效率。
    - AC-DC 和 DC-DC 电源:适用于各种交流到直流以及直流到直流的转换器,特别是需要高效率的场合。
    - 负载开关:可以快速高效地控制电路的接通和断开,适用于多种负载管理场景。
    使用建议:
    - 确保电路中的漏电流不超过最大值,以避免过热和损坏。
    - 在设计电源系统时,考虑散热措施,如增加铜箔面积或使用散热片,以降低RJA。
    - 使用合适的驱动电路,以保证门极电压能够满足快速开关的要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS015N15MC 的PQFN8封装与其他同类产品兼容,便于替换和升级。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详细的电气特性和热特性图表,以及应用指南,帮助工程师进行设计。此外,官方技术支持热线提供专业解答和指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:电路工作时发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,适当增大铜箔面积,或加装散热片。
    2. 问题:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:确保驱动电压足够高且稳定,检查驱动电路的设计。
    3. 问题:电路中的漏电流超标。
    - 解决方案:重新校验电路参数,确认是否符合器件的最大额定值。

    总结和推荐


    NTMFS015N15MC MOSFET凭借其小尺寸、低导通电阻和高可靠性等特点,在多种电力电子应用中表现出色。适合用于要求高效能和高可靠性的场合。因此,强烈推荐在同步整流、电源适配器和其他需要高效转换的应用中使用此产品。
    希望这篇解析对您有所帮助,更多详细信息和技术支持请联系 ON Semiconductor 官方。

NTMFS015N15MC参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 150V
Id-连续漏极电流 61A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 27nC@ 10 V
最大功率耗散 2.5W(Ta),108.7W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 162µA
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 29A,10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.12nF@75V
配置 -
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS015N15MC厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS015N15MC数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS015N15MC NTMFS015N15MC数据手册

NTMFS015N15MC封装设计

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