处理中...

首页  >  产品百科  >  FDPF13N50FT

FDPF13N50FT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=500 V, 12 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FL-FDPF13N50FT
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF13N50FT

FDPF13N50FT概述


    产品简介


    FDPF13N50FT N-Channel UniFET™ FRFET® MOSFET 是一款高性能的N沟道MOSFET器件,采用Fairchild Semiconductor独特的UniFET技术,专为高电压和高频开关应用设计。这种器件在减少导通电阻(RDS(on))方面表现出色,同时提供更好的开关性能和更高的雪崩能量承受能力。其广泛应用于LCD/LED/PDP电视、照明系统、不间断电源等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDSS) 500 V |
    | 栅源电压(VGSS) | ±30 V |
    | 连续漏电流(ID) 12 A |
    | 脉冲漏电流(IDM) 48 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 684 mJ |
    | 动态导通电阻(RDS(on)) | 420 | 540 | mΩ |
    | 栅电荷(Qg(tot)) 30 | 39 | nC |
    | 输入电容(Ciss) 1450 | 1930 | pF |
    | 输出电容(Coss) 198 | 265 | pF |
    | 反向转移电容(Crss) 14.5 | 22 | pF |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)典型值为420 mΩ,使得器件在高电流条件下具有更低的功耗。
    - 低栅极电荷:典型值为30 nC,降低驱动损耗,提高开关速度。
    - 快速反向恢复:反向恢复时间(trr)小于100纳秒,且反向dv/dt免疫力高达15 V/ns,适用于需要快速开关的应用场合。
    - 增强的雪崩性能:通过100%的雪崩测试,确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 环保材料:符合RoHS标准,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LCD/LED/PDP电视:利用其低RDS(on)特性,在电视电源转换器中提供高效能。
    - 不间断电源:利用其高雪崩能量强度,在负载瞬变时保持稳定运行。
    - 电子灯镇流器:利用其低栅极电荷特性,减少驱动电路的复杂度和成本。
    使用建议:
    - 考虑散热设计:由于最大功耗(PD)为42W,需设计合理的散热方案以避免过热问题。
    - 选择合适的栅极电阻:根据应用需求选择适当的栅极电阻,以平衡开关速度和驱动损耗。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件兼容多种应用场合,如LCD/LED/PDP电视、照明系统等。
    - 器件采用TO-220F封装,易于集成到现有电路中。
    支持:
    - ON Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用其产品特性。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 确保正确的散热设计,选择合适封装的器件。|
    | 雪崩能量不足 | 使用更大的器件或者改善电路布局,降低电压应力。|
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻,选择适当的栅极驱动信号。|

    总结和推荐


    综合评估:
    FDPF13N50FT N-Channel UniFET™ FRFET® MOSFET 在高电压和高频应用中表现出色,尤其是在开关电源、照明系统和电视等应用中具有显著优势。其低导通电阻和快速开关性能使其成为许多现代电子设备的理想选择。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛应用范围,我们强烈推荐此款器件用于需要高效、可靠电源转换的场合。然而,对于某些极端应用(如生命支持设备),需特别注意合规性和安全性,以免产生潜在风险。

FDPF13N50FT参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 42W(Tc)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 540mΩ@ 6A,10V
栅极电荷 39nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.93nF@25V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 管装

FDPF13N50FT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF13N50FT数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDPF13N50FT FDPF13N50FT数据手册

FDPF13N50FT封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.8435 ¥ 7.0937
库存: 802
起订量: 712 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336