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NVMFS5C682NLWFAFT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),28W(Tc) 20V 2V@ 16µA 5nC@ 10V 1个N沟道 60V 21mΩ@ 10A,10V 8.8A,25A 410pF@25V DFN 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS5C682NLWFAFT3GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C682NLWFAFT3G

NVMFS5C682NLWFAFT3G概述


    产品简介


    NVMFS5C682NL MOSFET
    NVMFS5C682NL 是一款适用于功率管理的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用紧凑设计,尺寸为 5x6mm,适合于需要高效率和小型化的应用场合。这款 MOSFET 的主要功能包括在多种电子设备中实现高效的电能转换和开关控制。它的应用范围广泛,涵盖了电源管理、电机驱动、照明系统以及各类消费电子产品。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏源电压 | VDSS | 60 | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | 25 (TC=25°C) | A |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | 18 (TC=100°C)| A |
    | 瞬态漏极电流(TA=25°C)| IDM | 130 | A |
    | 工作结温和存储温度 | TJ, Tstg | -55 至 +175 | °C |
    | 最小击穿电压 | V(BR)DSS | 60 | V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | 10 (TJ=25°C) | µA |
    | 通态电阻 | RDS(on) | 21 mΩ (10 V) | Ω |
    | 输入电容 | CISS | 410 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 210 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | 7.0 | pF |
    | 总栅电荷 | QG(TOT) | 5.0 (10 V) | nC |

    产品特点和优势


    NVMFS5C682NL MOSFET 具备多项显著的特点和优势,使其在众多应用中脱颖而出:
    - 小尺寸:5x6mm 的小巧封装使得它在有限的空间内仍能保持高效率。
    - 低通态电阻:仅为 21mΩ@10V,有助于最大限度地减少导通损耗。
    - 低 QG 和电容:这些特性帮助降低驱动损耗。
    - 增强光学检查:提供湿可焊端选项(NVMFS5C682NLWF),提高光学检测效果。
    - 质量保证:通过 AEC-Q101 认证,符合 PPAP 生产件批准程序。
    - 环保材料:无铅且符合 RoHS 规范,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C682NL MOSFET 广泛应用于各类电子设备中,例如电源管理模块、直流电机驱动器、LED 照明系统等。根据其卓越的性能和紧凑设计,该产品非常适合需要高效能和紧凑布局的应用场合。以下是一些建议:
    - 电源管理:利用其低通态电阻特性,在电源管理系统中可以有效减少功耗。
    - 电机驱动:其高效的开关性能使得在电机驱动系统中也能表现出色。
    - LED 驱动:适用于高电流需求的 LED 驱动电路中,确保稳定且高效的操作。

    兼容性和支持


    NVMFS5C682NL MOSFET 与大多数现有的电子元器件具有良好的兼容性。由于其无铅和 RoHS 合规的特性,可以轻松集成到各种现代电子产品中。制造商 ON Semiconductor 提供了详细的技术支持文档和样品请求服务,确保用户在应用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保栅极驱动器足够强,以提升开关速度。 |
    | 导通电阻过高 | 检查电路设计和电源输入是否正常。 |
    | 高温下性能下降 | 使用散热片或其他冷却措施来改善热管理。 |

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5C682NL MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具备优秀的导通特性和紧凑的设计,非常适合在需要高效率和小型化设计的应用中使用。结合 ON Semiconductor 提供的技术支持和质量保证,这款 MOSFET 在电力管理和电子控制系统中提供了可靠的解决方案。强烈推荐在各种电源管理和电机驱动应用中考虑使用此产品。

NVMFS5C682NLWFAFT3G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 410pF@25V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@ 10A,10V
Id-连续漏极电流 8.8A,25A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.5W(Ta),28W(Tc)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 5nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 16µA
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C682NLWFAFT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C682NLWFAFT3G数据手册

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