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FDP7030BL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 60W(Tc) 20V 3V@ 250µA 24nC@ 5 V 1个N沟道 30V 9mΩ@ 30A,10V 60A 1.76nF@15V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-FDP7030BL
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP7030BL

FDP7030BL概述

    N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET FDP7030BL/FDB7030BL

    1. 产品简介


    FDP7030BL/FDB7030BL 是一款高性能的 N-Channel Logic Level MOSFET,专为提升 DC/DC 转换器的效率而设计。这款 MOSFET 具备快速开关能力和低门极电荷的特点,适用于同步或传统的 PWM 控制器。它主要用于提高电源转换效率,广泛应用于通信、计算、工业控制等多个领域。

    2. 技术参数


    以下是 FDP7030BL/FDB7030BL 的主要技术规格:
    - 额定电压 (VDSS):30 V
    - 连续电流 (ID):60 A(连续),180 A(脉冲)
    - 栅极-源极电压 (VGSS):± 20 V
    - 总功率耗散 (PD):60 W @ 25°C,超过 25°C 时每上升 1°C 降低 0.4 W/°C
    - 结温范围 (TJ, TSTG):-65°C 至 +175°C
    - 热阻 (RθJC):2.5°C/W(结到外壳)
    - 热阻 (RθJA):62.5°C/W(结到环境)
    直流电气参数:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):9 mΩ @ VGS = 10 V,12 mΩ @ VGS = 4.5 V
    - 最大结温 (TJ):175°C
    - 栅阈电压 (VGS(th)):1 V 至 3 V
    - 输入电容 (Ciss):1760 pF
    - 输出电容 (Coss):440 pF
    - 反向传输电容 (Crss):185 pF
    动态特性:
    - 总门极电荷 (Qg):17 nC 至 24 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):5.4 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):6.4 nC
    - 开关时间 (td(off), tf):30 ns 至 48 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:具备低门极电荷和高转导特性,有助于实现高效能 DC/DC 转换器。
    - 快速开关:快速开关时间(< 50 ns)使得它适用于高频应用。
    - 高可靠性:通过高温(175°C)测试,确保其在极端环境下也能稳定工作。
    - 低导通电阻:RDS(ON) 仅为 9 mΩ @ VGS = 10 V,有效减少损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换器:由于其低 RDS(ON) 和高速开关特性,适用于需要高效率的电源转换器。
    - 通讯设备:适用于通信设备的电源管理,提高整体系统效率。
    - 工控系统:适用于工业自动化控制系统,提供稳定可靠的电源供应。
    使用建议:
    - 确保散热措施到位,以防止因过热而导致的性能下降。
    - 选择合适的门极驱动电路,以避免因驱动不足导致的开关速度下降。

    5. 兼容性和支持


    FDP7030BL/FDB7030BL 支持多种封装,包括 TO-220 和 TO-263AB,易于集成。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和在线资源,帮助客户解决应用中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:门极-源极电压过高导致损坏
    - 解决办法:确保 VGSS 不超过 ±20 V。
    - 问题:导通电阻增加
    - 解决办法:检查焊接和连接是否良好,必要时更换 MOSFET。
    - 问题:工作温度过高
    - 解决办法:增加散热片或采用外部风扇进行冷却。

    7. 总结和推荐


    FDP7030BL/FDB7030BL 以其卓越的性能和可靠性,在电源管理领域表现出色。它的低 RDS(ON) 和高开关速度使其成为高效 DC/DC 转换器的理想选择。我们强烈推荐此产品用于各种需要高效率的应用场合。

FDP7030BL参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 24nC@ 5 V
最大功率耗散 60W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 30A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.76nF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

FDP7030BL厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP7030BL数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP7030BL FDP7030BL数据手册

FDP7030BL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5524 ¥ 4.7536
300+ $ 0.5474 ¥ 4.7108
500+ $ 0.5423 ¥ 4.668
1000+ $ 0.5271 ¥ 4.4538
5000+ $ 0.5271 ¥ 4.4538
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