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NVMFS5C646NLAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),79W(Tc) 20V 2V@ 250µA 33.7nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.7mΩ@ 50A,10V 20A,93A 2.164nF@25V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFS5C646NLAFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C646NLAFT1G

NVMFS5C646NLAFT1G概述

    NVMFS5C646NL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVMFS5C646NL 是一款单通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 DFN5 和 DFNW5 封装。它具有较小的占位面积(5x6mm)和低导通电阻(RDS(on)),适用于紧凑型设计需求。NVMFS5C646NL 在开关电源、电机驱动器、电池管理和其他电力转换应用中表现出色。

    2. 技术参数


    以下是 NVMFS5C646NL 的关键技术参数:
    - 额定电压(VDSS): 60 V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C: 93 A
    - TC = 100°C: 65 A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 50 A: 3.8 - 4.7 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 50 A: 5.0 - 6.3 mΩ
    - 最大漏极脉冲电流(IDM): 750 A
    - 热阻(RθJC, RθJA):
    - RθJC: 1.9 °C/W
    - RθJA: 41 °C/W
    - 最大工作温度(TJ, Tstg): -55 至 +175°C
    - 最大源极电流(IS): 100 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 185 mJ

    3. 产品特点和优势


    NVMFS5C646NL 具备以下独特功能和优势:
    - 小型封装:提供紧凑设计所需的 5x6 mm 占位面积。
    - 低导通电阻:最小化传导损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷:最小化驱动损耗,适合高频应用。
    - 湿可焊边缘选项:提供增强的光学检测能力。
    - AEC-Q101 认证:符合汽车应用标准,可靠性高。
    - 无铅、无卤素:环保材料,符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFS5C646NL 广泛应用于各种电力转换应用,例如:
    - 开关电源:通过降低导通电阻和驱动损耗,提高电源效率。
    - 电机驱动器:在高压环境下稳定运行,减少发热和损耗。
    - 电池管理系统:提高电池寿命和充电效率。
    使用建议:
    - 确保良好的散热措施以避免过热。
    - 在高频应用中使用适当尺寸的栅极电阻,以优化开关速度。
    - 考虑到温度变化对导通电阻的影响,在设计时留有足够的裕量。

    5. 兼容性和支持


    NVMFS5C646NL 可与其他电子元器件和设备兼容,例如:
    - DFN5 和 DFNW5 封装:适用于多种电路板布局。
    - 厂商支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和应用支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:确保良好的散热,使用热沉或其他冷却措施。

    - 问题:启动延迟时间长。
    - 解决方案:增加栅极电阻以减小门极电荷。

    - 问题:栅极泄漏电流大。
    - 解决方案:检查 PCB 设计,确保良好接地和屏蔽。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NVMFS5C646NL 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力转换应用。它的低导通电阻和低栅极电荷使其在高效能要求的应用中表现优异。考虑到其广泛的适用范围、可靠性和厂商支持,强烈推荐将其用于需要高效能和紧凑设计的应用中。

NVMFS5C646NLAFT1G参数

参数
最大功率耗散 3.7W(Ta),79W(Tc)
栅极电荷 33.7nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 20A,93A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.164nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.7mΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C646NLAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C646NLAFT1G数据手册

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NVMFS5C646NLAFT1G封装设计

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