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FQP13N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=100 V, 12.8 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FL-FQP13N10
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQP13N10

FQP13N10概述


    产品简介


    FQP13N10 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor公司生产。它采用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹技术和DMOS技术制造,旨在降低导通电阻(RDS(on))并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这款器件适用于多种应用,包括开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等。

    技术参数


    - 电压和电流参数:
    - 最大漏源电压(VDSS):100 V
    - 持续漏极电流(ID,TC=25°C):12.8 A
    - 持续漏极电流(ID,TC=100°C):9.05 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):51.2 A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值180 mΩ(@VGS=10 V,ID=6.4 A)
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):典型值345 pF(@VDS=25 V,VGS=0 V,f=1.0 MHz)
    - 输出电容(Coss):典型值100 pF
    - 反向转移电容(Crss):典型值20 pF
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷(Qg):典型值12 nC(@VDS=80 V,ID=12.8 A,VGS=10 V)
    - 开关延迟时间(td(on)):典型值5 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):典型值20 ns
    - 温度参数:
    - 工作和存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 最大结温(TJ):175°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):最大值为180 mΩ,适合高效率应用。
    - 低栅极电荷(Qg):典型值12 nC,有助于减少开关损耗。
    - 优异的热特性:最大热阻(RθJC)为2.31°C/W,确保良好的散热性能。
    - 高雪崩能量(EAS):95 mJ,适用于恶劣的工作环境。
    - 广泛的工作温度范围:从-55°C到+175°C,适用性强。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在高频开关电源中,FQP13N10 的低导通电阻和低栅极电荷特性可以显著提高能效。
    - 音频放大器:利用其低噪声特性和优良的热稳定性,适用于高性能音频系统。
    - 直流电机控制:在电机控制应用中,低栅极电荷和高雪崩能量可以确保稳定运行。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥FQP13N10的性能,在高温环境下使用时应注意散热措施,如采用适当的散热片或散热风扇。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQP13N10 与各种标准电路设计兼容,适用于大多数开关电源和电机控制系统。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括产品文档、设计工具和客户支持团队,以帮助客户解决设计中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下使用时,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或风扇,以降低器件温度。

    2. 问题:开关速度慢,影响性能。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号的质量,确保足够的驱动能力;适当调整栅极电阻(RG)以优化开关速度。

    3. 问题:输出电流不足。
    - 解决方案:检查电路连接和负载情况,确保符合器件的额定电流要求。

    总结和推荐


    FQP13N10 是一款功能强大且性能稳定的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和高雪崩能量等特点,适用于多种工业和消费电子产品。通过本文档的详细介绍和技术参数,可以清楚地看到其在各个应用领域的优越表现。因此,强烈推荐 FQP13N10 在需要高效能和可靠性的应用中使用。

FQP13N10参数

参数
栅极电荷 16nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 12.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 6.4A,10V
配置 独立式
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 450pF@25V
Vgs-栅源极电压 25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 65W(Tc)
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQP13N10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQP13N10数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQP13N10 FQP13N10数据手册

FQP13N10封装设计

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