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NVMFD5C446NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 89W 20V 3.5V@ 250µA 38nC@ 10V 2个N沟道 40V 2.9mΩ@ 30A,10V 24A,127A 2.45nF@25V DFN-8 贴片安装
供应商型号: FL-NVMFD5C446NWFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5C446NWFT1G

NVMFD5C446NWFT1G概述

    NVMFD5C446N Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVMFD5C446N 是一款双 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由半导体组件工业有限公司设计生产。这种功率 MOSFET 以其小巧的封装(5x6 mm)而著称,适用于需要紧凑设计的应用场合。主要功能包括低导通电阻 (RDS(on))、低栅极电荷 (QG) 和极低的输出电容 (COSS),从而有效减少驱动损耗和传导损耗。此外,NVMFD5C446NWF 版本还具备湿可浸型引脚,以增强光学检查能力。这些器件已通过 AEC-Q101 资格认证并具备 PPAP 生产件批准程序的能力,适用于汽车行业及其它高可靠性需求的应用。所有产品均为无铅且符合 RoHS 标准。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDSS = 40 V
    - 连续漏极电流:ID = 127 A(TC = 25°C);ID = 90 A(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 637 A(tp = 10 μs)
    - 击穿电压:V(BR)DSS = 40 V
    - 导通电阻:RDS(on) = 2.4 mΩ 至 2.9 mΩ(VGS = 10 V,ID = 30 A)
    - 阈值电压:VGS(TH) = 2.5 V 至 3.5 V(ID = 250 μA)
    - 反向恢复时间:tRR = 50 ns(VGS = 0 V,dIS/dt = 100 A/μs,IS = 30 A)

    3. 产品特点和优势


    - 小型化设计:5x6 mm 封装适合紧凑空间要求。
    - 低损耗:低 RDS(on) 减少传导损耗;低 QG 降低驱动损耗。
    - 可靠性高:AEC-Q101 认证,PPAP 可用。
    - 环保材料:无铅,RoHS 合规。
    - 易于光学检测:NVMFD5C446NWF 增强型湿可浸型引脚,方便检查。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFD5C446N 可用于多种电力转换和控制应用,如汽车电源管理系统、通信设备、工业自动化系统等。例如,在电动汽车的电池管理系统中,NVMFD5C446N 的低损耗特性可以显著提高系统效率。使用时应注意保持器件温度在工作范围内,避免过载。

    5. 兼容性和支持


    NVMFD5C446N 与市场上广泛使用的电路板标准兼容,如 FR4 材质的印刷电路板。厂商提供详细的技术支持,包括详细的订购、标记和运输信息,可通过电话和电子邮件获取技术支持。客户还可以访问厂商官网获得更多资源和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确安装 NVMFD5C446N?
    - 解决办法:确保电路板采用符合规范的焊锡工艺,并在焊接过程中避免温度过高导致损坏。
    - 问题:如何测量 NVMFD5C446N 的导通电阻?
    - 解决办法:使用合适的电流和电压源,在器件上施加 10 V 电压下,测量漏极到源极的电压降并计算得出。

    7. 总结和推荐


    NVMFD5C446N 功率 MOSFET 在多个方面表现出色,尤其适用于需要高可靠性和低损耗的电源管理和控制应用。其低导通电阻和低栅极电荷特性显著提高了系统的整体性能。强烈推荐使用 NVMFD5C446N 在各种高要求的应用环境中,以提升设备的可靠性和能效。

NVMFD5C446NWFT1G参数

参数
配置
栅极电荷 38nC@ 10V
Id-连续漏极电流 24A,127A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.9mΩ@ 30A,10V
最大功率耗散 89W
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 2
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.45nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFD5C446NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5C446NWFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFD5C446NWFT1G NVMFD5C446NWFT1G数据手册

NVMFD5C446NWFT1G封装设计

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