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FDMS86182

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83W(Tc) 20V 4V@ 150µA 24nC@ 6 V 1个N沟道 100V 7.2mΩ@ 28A,10V 78A 2.635nF@50V PQFN 贴片安装
供应商型号: FDMS86182
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86182

FDMS86182概述

    FDMS86182 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    1. 产品简介


    FDMS86182 是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的N沟道屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。这款MOSFET采用了先进的PowerTrench®工艺,集成了屏蔽栅极技术,旨在最小化导通电阻并保持卓越的开关性能,同时具有出色的软体二极管特性。
    主要功能:
    - 高效的屏蔽栅极技术
    - 最低导通电阻(7.2 mΩ)
    - 低反向恢复电荷(Qrr)
    - 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
    应用领域:
    - 主要直流-直流转换器中的MOSFET
    - 直流-直流和交流-直流同步整流器
    - 电机驱动
    - 太阳能系统

    2. 技术参数


    以下是FDMS86182的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 100 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 | V |
    | 连续漏电流(ID) | 78 | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS)| 216 | mJ |
    | 功率耗散(PD) | 83 | W |
    | 热阻(RθJC) | 1.5 | °C/W |
    | 热阻(RθJA) | 50 | °C/W |
    | 工作温度范围(TJ, TSTG) | -55至+150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    FDMS86182 的主要特点和优势如下:
    - 屏蔽栅极技术:显著降低了导通电阻(7.2 mΩ),提高了开关效率。
    - 低反向恢复电荷:相比其他MOSFET供应商,反向恢复电荷减少了50%,从而降低了开关损耗。
    - 低开关噪声/EMI:有助于减少电磁干扰,适用于对EMI敏感的应用。
    - MSL1级封装设计:提供更坚固的封装,提高可靠性。
    - 100% UL测试:确保产品质量和稳定性。
    - 符合RoHS标准:环保且符合国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个典型的直流-直流转换器中,FDMS86182作为主MOSFET,能够高效地转换电源,减少功率损耗。
    - 在太阳能逆变器中,它作为同步整流器,提升系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,考虑到寄生电容的影响,选择合适的驱动电路以优化性能。
    - 在高温环境下使用时,确保良好的散热设计,以维持正常工作温度范围内的性能。

    5. 兼容性和支持


    FDMS86182采用Power 56封装,可直接替换同类产品,无需额外的适配工作。ON Semiconductor提供了详尽的技术支持文档和在线资源,帮助用户快速上手和解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解答:根据数据表中的推荐值选择合适的驱动电阻(Rg),通常在0.1Ω至1.2Ω之间。

    - 问题2:如何优化热管理?
    - 解答:确保良好的散热设计,例如使用大面积铜散热板,并避免长时间在高功率状态下运行。

    7. 总结和推荐


    FDMS86182 以其高效的屏蔽栅极技术和低导通电阻,成为直流-直流转换器和同步整流器的理想选择。其低反向恢复电荷和低开关噪声使其在各种应用中表现出色。此外,坚固的封装设计和全面的支持服务进一步增强了其市场竞争力。
    综上所述,FDMS86182 是一款值得推荐的产品,特别适用于需要高效、可靠电源管理的场合。

FDMS86182参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7.2mΩ@ 28A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.635nF@50V
最大功率耗散 83W(Tc)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
栅极电荷 24nC@ 6 V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 78A
5mm(Max)
5.85mm(Max)
1.1mm(Max)
通用封装 PQFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS86182厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86182数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86182 FDMS86182数据手册

FDMS86182封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.102
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1000+ ¥ 5.8478
3000+ ¥ 5.7461
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