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HUF76609D3ST

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 49W(Tc) 16V 3V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 160mΩ@ 10A,10V 10A 425pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: HAL-HUF76609D3ST
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF76609D3ST

HUF76609D3ST概述

    HUF76609D3S N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF76609D3S 是一款由Fairchild Semiconductor公司生产的N-通道逻辑电平UltraFET功率MOSFET。该产品主要用于高压、高电流的应用环境。它具有超低导通电阻的特点,适用于各种电力电子系统,如电机驱动、电源转换、开关电源等领域。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - 栅源电压(VGS):±16V
    - 漏极-源极电压(VDSS):100V
    - 漏极连续电流(ID):10A (TC=25°C, VGS=5V)
    - 最大脉冲漏极电流(IMD):10A
    - 最大雪崩能量(UIS):详见手册中相关图表
    - 功耗(PD):49W
    - 热特性
    - 结到外壳热阻(RθJC):3.06°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):100°C/W
    - 开关特性
    - 转换时间(tON):36ns (VGS=10V)
    - 开启延迟时间(td(ON)):6ns (VGS=10V)
    - 关闭延迟时间(td(OFF)):55ns (VGS=10V)
    - 门级电荷
    - 总门级电荷(Qg(TOT)):13nC (VGS=0V to 10V)
    - 门级泄漏电流
    - 栅极-源极泄漏电流(IGSS):±100nA (VGS=±16V)

    3. 产品特点和优势


    HUF76609D3S 的主要优势在于其超低的导通电阻(rDS(ON)),这使得它能够有效地降低功耗并提高效率。此外,它还提供了多种仿真模型,包括温度补偿的PSPICE和SABER模型,方便工程师进行设计和验证。其卓越的开关特性确保了在高速切换时的高效运行,适用于高频应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 在电机驱动系统中作为主开关器件。
    - 用于开关电源的设计,实现高效的电压转换。

    - 使用建议
    - 建议在设计时充分考虑热管理,以防止过热导致的可靠性问题。
    - 由于该器件具备高可靠性,可以应用于需要频繁开关的应用环境中。
    - 确保使用适当的散热器,并遵循热阻参数的要求,以保证良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - 该产品可与其他标准N-通道MOSFET兼容,但具体应用前需确认电路板设计的匹配性。

    - 支持
    - ON Semiconductor提供全面的技术支持和文档资料,包括仿真模型和应用指南,帮助客户进行产品设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅极电压导致损坏
    - 解决方案:确保栅极电压不超过额定值(VGS = ±16V),并使用适当的栅极驱动器。

    - 问题2:导通电阻过高导致功耗增加
    - 解决方案:检查驱动电压是否达到最低要求(例如VGS = 5V或更高),确保驱动器正确配置。

    7. 总结和推荐


    HUF76609D3S 在电力电子应用中表现优异,尤其适合需要高效率、高可靠性的场合。其超低的导通电阻、优良的开关特性以及全面的支持文档使其成为设计者的一个可靠选择。尽管产品已被标记为“不推荐用于新设计”,但现有应用仍可继续使用,如有任何疑问或需求,建议联系ON Semiconductor的技术代表获取支持。

HUF76609D3ST参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 49W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 16V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 10A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 425pF@25V
栅极电荷 16nC@ 10 V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

HUF76609D3ST厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF76609D3ST数据手册

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HUF76609D3ST封装设计

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