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FDD6696

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),52W(Tc) 16V 3V@ 250µA 24nC@ 5V 1个N沟道 30V 8mΩ@ 13A,10V 50A 1.715nF@15V D-PAK,TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FDD6696
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD6696

FDD6696概述

    # FDD6696/FDU6696 30V N-Channel PowerTrench™ MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    FDD6696/FDU6696 是一款由Fairchild Semiconductor推出的30V N-Channel PowerTrench™ MOSFET,专门设计用于提高直流/直流转换器的效率,无论是同步还是传统开关PWM控制器的应用场景。该产品以其低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和快速开关速度而著称,在各种高性能电源管理方案中具有广泛应用。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(ON)): 在VGS=10V时为8.0mΩ,在VGS=4.5V时为10.7mΩ。
    - 低栅极电荷: 典型值为17nC。
    - 快速开关性能: 极速开关时间适合高频应用。
    - 高可靠性工艺: 基于高性能沟槽技术,提升整体耐用性。
    应用领域
    - 直流/直流转换器
    - 马达驱动器
    - 开关电源电路

    技术参数


    以下是FDD6696/FDU6696的主要技术规格和参数:
    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDSS) 30 V |
    | 持续漏极电流(ID) | TC=25°C | 13 50 | A |
    | 栅源电压(VGSS) ±16 V |
    | 导通电阻(RDS(ON)) | VGS=10V, ID=13A | 6.7 | 8.0 | 10.2 | mΩ |
    | 栅极电荷(Qg) | VDS=15V, ID=13A | 17 24 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 1715 pF |
    | 输出电容(Coss) | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 410 pF |
    | 反向传输电容(Crss) | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 180 pF |
    此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,能够适应苛刻的工作环境。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(ON)): 高效的功率损耗管理,显著降低发热。
    2. 快速开关能力: 减少开关损耗,特别适用于高频应用。
    3. 低栅极电荷(Qg): 提升能效并减少驱动功率需求。
    4. 高温性能: 在宽温范围内表现出色,适用于严苛工业和汽车环境。
    5. 创新沟槽技术: 极大地减少了导通电阻,提升整体性能。
    这些特性使得FDD6696/FDU6696成为现代电源管理电路的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流/直流转换器: 在高效率、低功耗的设计中使用该器件可以显著优化系统性能。
    2. 马达驱动器: 由于其高开关速度,非常适合控制高速电机。
    3. 汽车电子: 能够承受恶劣的温度和振动条件,是车载电子的理想选择。
    使用建议
    - 散热管理: 使用较大的铜垫以改善热传导,从而延长器件寿命。
    - 优化驱动电路: 尽量减少驱动电阻以加快开关速度。
    - 负载匹配: 确保实际工作条件不会超出额定参数范围。

    兼容性和支持


    FDD6696/FDU6696兼容多种封装形式(如D-PAK、TO-252、I-PAK、TO-251AA),支持标准焊接工艺。Fairchild Semiconductor提供详尽的技术支持文档和售后服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减小驱动电阻,检查PCB布线质量 |
    | 工作温度过高 | 增加散热片面积,调整系统布局 |
    | 导通电阻过大 | 确认工作电压符合要求,优化驱动波形 |

    总结和推荐


    FDD6696/FDU6696是一款性能卓越的N-Channel MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关能力和出色的可靠性,在众多应用中表现出色。无论是需要高效能的工业应用还是严苛的车载环境,这款器件都能胜任。强烈推荐在高性能电源管理项目中使用此产品。
    推荐指数:★★★★★

FDD6696参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 24nC@ 5V
最大功率耗散 3.8W(Ta),52W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 13A,10V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.715nF@15V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 D-PAK,TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDD6696厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD6696数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD6696 FDD6696数据手册

FDD6696封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3674 ¥ 3.1623
500+ $ 0.364 ¥ 3.1335
1000+ $ 0.3538 ¥ 2.9898
5000+ $ 0.3538 ¥ 2.9898
库存: 208594
起订量: 317 增量: 1
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最小起订量为:300
合计: ¥ 948.69
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