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NVMFS4C05NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200W 20V 2V@ 250uA 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 26mΩ@ 10V,29A 55A 1.972nF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: AV-S-ONSNVMFS4C05NT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS4C05NT1G

NVMFS4C05NT1G概述


    产品简介


    NVMFS4C05N 和 NVMFS4C305N 是 ON Semiconductor 推出的一款高性能 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这类器件广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子和工业自动化等领域。该 MOSFET 采用 SO-8 封装形式,具备低导通电阻、低栅极电荷及低输出电容等特点,从而显著降低功耗并提高效率。

    技术参数


    - 额定电压:30 V
    - 连续漏极电流:27.2 A(TA = 25°C),21.6 A(TA = 80°C)
    - 脉冲漏极电流:174 A(tp = 10 μs)
    - 最大功率耗散:3.61 W(TA = 25°C)
    - 总闸电荷:14 nC(VGS = 4.5 V, VDS = 15 V; ID = 30 A)
    - 零栅极电压漏极电流:1.0 μA(TJ = 25°C)至 10 μA(TJ = 125°C)
    - 反向恢复时间:40.2 ns
    - 最高工作温度范围:-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    NVMFS4C05N 和 NVMFS4C305N 的主要优势在于其低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和高开关频率性能。这些特性使其适用于需要高效能和低损耗的应用场景,如电源转换器和马达控制器。此外,这些器件还具有较高的可靠性和可制造性(PPAP 资质认证),并且是无铅、无卤素、无 BFR 的环保设计,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动汽车充电器:NVMFS4C05N 和 NVMFS4C305N 可以用于电动车的快速充电系统,提供高效的能量传输。
    - 光伏逆变器:这些 MOSFET 在太阳能发电系统中能够有效管理电能转换,减少能量损失。
    - 服务器电源供应器:在服务器电源系统中,这些 MOSFET 有助于提高系统的整体效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要注意散热措施,确保器件在安全的工作温度范围内运行。
    - 选择适当的栅极电阻,以优化开关速度和减少功耗。
    - 确保电路设计充分考虑到器件的最大电流和电压限制,避免过载。

    兼容性和支持


    兼容性:这些 MOSFET 可与市场上常见的电路板和系统兼容,特别适合于现有的工业标准设计。
    支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利集成和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - Q:如何确定合适的栅极电阻?
    A:选择栅极电阻时,需要考虑开关时间和功耗要求。较低的栅极电阻可以加快开关速度,但会增加功耗;较高的栅极电阻则相反。
    - Q:如何处理高温环境下的散热问题?
    A:在高温环境中使用时,应确保良好的散热设计,例如使用散热片或散热风扇来降低器件的工作温度。

    总结和推荐


    总结:
    - 优点:NVMFS4C05N 和 NVMFS4C305N 具有低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性及环保特性,适用于多种工业和消费电子应用。
    - 缺点:使用时需要注意散热设计,尤其是在高温环境中。

    推荐:
    - 强烈推荐在高效能电源管理和电机控制应用中使用这些 MOSFET。其卓越的性能和广泛的适用范围使得它们成为许多应用的理想选择。

NVMFS4C05NT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.972nF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 10V,29A
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 200W
栅极电荷 30nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 55A
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS4C05NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS4C05NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NT1G数据手册

NVMFS4C05NT1G封装设计

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4500+ $ 0.7847 ¥ 6.9445
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