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NTNS3164NZT5G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 155mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 0.8nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 700mΩ@ 200mA,4.5V 361mA 24pF@10V XDFN 贴片安装
供应商型号: NTNS3164NZT5G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 200
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTNS3164NZT5G

NTNS3164NZT5G概述


    产品简介


    NTNS3164NZ MOSFET
    NTNS3164NZ是一款单片N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),采用超低剖面SOT-883 (XDFN3)封装,尺寸仅为1.0 x 0.6 x 0.4毫米。这款小型信号MOSFET广泛应用于便携式电子产品,如高侧开关、高速接口、电平移位和转换等领域。它特别适用于对空间要求极高的环境。
    主要功能
    - 单片N沟道MOSFET
    - 超低剖面SOT-883 (XDFN3) 封装
    - 低RDS(on)解决方案
    - 1.5 V栅极驱动
    应用领域
    - 高侧开关
    - 高速接口
    - 电平移位和转换
    - 用于超便携解决方案中的电源管理

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):20 V
    - 栅源电压(VGS):±8 V
    - 持续漏极电流(TA = 25°C):361 mA
    - 稳态功率耗散(TA = 25°C):155 mW
    - 脉冲漏极电流(tP = 10 µs):1082 mA
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55至150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):20 V(VGS = 0 V, ID = 250 µA)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±10 µA(VDS = 0 V, VGS = ±5 V)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 200 mA:0.7 Ω
    - VGS = 2.5 V, ID = 100 mA:1.0 Ω
    - VGS = 1.8 V, ID = 50 mA:2.0 Ω
    - VGS = 1.5 V, ID = 10 mA:4.0 Ω

    产品特点和优势


    - 小型化设计:NTNS3164NZ采用了SOT-883 (XDFN3)封装,适用于需要极致紧凑设计的应用场合,如便携式电子产品。
    - 低导通电阻:在1.0 x 0.6 mm的小型封装内提供了低至0.7Ω的导通电阻,有效降低功耗。
    - 低栅极驱动电压:仅需1.5 V的栅极驱动电压,便于驱动。
    - 环保材料:该器件无铅、无卤素且符合RoHS标准,适合绿色电子产品的开发。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高侧开关:NTNS3164NZ可以用于各种电源管理和控制电路中,特别是那些需要高侧开关的应用。
    - 高速接口:在高速数据传输接口中,该器件的低导通电阻和快速响应时间可以提高信号传输的效率和可靠性。
    使用建议
    - 散热设计:虽然NTNS3164NZ具有较高的热阻(RθJA = 806°C/W),但在实际应用中仍需注意散热设计,特别是在连续高电流运行时。
    - 测试条件:在进行电气特性测试时,确保按照技术手册中规定的条件进行,以获得准确的测量结果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTNS3164NZ可以与大多数常见的便携式电子系统兼容。具体兼容性细节可参见官方技术文档。
    - 支持和维护:ON Semiconductor为该产品提供全面的技术支持和客户服务。客户可以通过ON Semiconductor官网获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 确保驱动电压满足最低要求(1.5 V)。 |
    | 散热不良 | 增加散热片或采用更高效的散热方式。 |
    | 温度稳定性差 | 在极端环境下使用时,注意监测工作温度,并采取适当措施避免过热。 |

    总结和推荐


    NTNS3164NZ是一款出色的N沟道MOSFET,具有体积小、导通电阻低、低栅极驱动电压和环保特性。它的广泛应用范围和优良性能使其成为便携式电子设备和其他高密度电子系统的理想选择。强烈推荐此产品给需要在空间受限环境中实现高效电源管理的设计师和工程师。

NTNS3164NZT5G参数

参数
最大功率耗散 155mW(Ta)
Id-连续漏极电流 361mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 24pF@10V
栅极电荷 0.8nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 8V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 200mA,4.5V
680μm(Max)
1.08mm(Max)
440μm(Max)
通用封装 XDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTNS3164NZT5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTNS3164NZT5G数据手册

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NTNS3164NZT5G封装设计

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400+ ¥ 0.6554
800+ ¥ 0.6385
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