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NTBV45N06LT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.4W(Ta),125W(Tj) 15V 2V@ 250µA 32nC@ 5 V 1个N沟道 60V 28mΩ@ 22.5A,5V 45A 1.7nF@25V TO-263-3 贴片安装
供应商型号: 863-NTBV45N06LT4G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTBV45N06LT4G

NTBV45N06LT4G概述

    NTB45N06L/NBTV45N06L MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTB45N06L/NBTV45N06L 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC(ON Semiconductor)生产的N沟道逻辑电平MOSFET。这款MOSFET设计用于低电压高开关速度的应用,如电源、转换器、电机控制和桥电路。该器件具备高电流容量、低导通电阻和其他卓越的电气特性,使其在多种电力电子产品中表现优异。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 最大漏源电压 \(V{DSS}\): 60Vdc
    - 最大栅源电压 (连续): \(\pm 15\) Vdc
    - 最大单脉冲峰值电流 \(I{DM}\): 150Adc
    - 静态导通电阻 \(R{DS(on)}\): 28mΩ (当 \(V{GS} = 5.0\) Vdc,\(ID = 22.5\) Adc时)
    - 最大功率耗散 \(PD\): 125W (TA = 25°C)
    - 电气特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1212至1700 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 352至480 pF
    - 传输电容 \(C{rss}\): 90至180 pF
    - 转换增益 \(g{fs}\): 22.8 mhos (当 \(V{DS} = 8.0\) Vdc,\(ID = 12\) Adc时)
    - 动态特性:
    - 开关延迟时间 \(t{d(on)}\): 13至30 ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\): 36至75 ns
    - 电荷存储 \(Q{RR}\): 0.09μC

    3. 产品特点和优势


    - 高电流承载能力: 45A 的最大连续电流。
    - 低导通电阻: 28mΩ的静态导通电阻保证了低功耗。
    - 快速开关性能: 短的开关延迟和恢复时间,适合高频应用。
    - 可靠性: AEC-Q101认证,确保了在恶劣环境下的可靠运行。
    - 环保特性: 无铅,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源:适合作为高效开关稳压器中的开关元件。
    - 电机控制:用于驱动电机的低侧开关。

    - 使用建议:
    - 在设计时应考虑PCB布局,确保栅极引脚与驱动信号隔离以减少干扰。
    - 使用适当的散热设计,以确保MOSFET能够在额定功率下长期稳定工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该MOSFET采用D2PAK封装,适用于广泛的电路板设计。
    - 支持和服务:
    - ON Semiconductor提供了详尽的技术支持文档和在线资源。
    - 用户可以通过技术支持热线或在线社区获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 导通电阻 \(R{DS(on)}\) 增加。
    - 解决方案: 检查焊接质量和热管理,确保合适的散热措施。
    - 问题2: 开关时间不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路设计,确保足够的栅极驱动强度和栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    NTB45N06L/NBTV45N06L是一款优秀的N沟道MOSFET,以其出色的电气特性和广泛的应用范围赢得了市场的认可。其在电源和电机控制等领域的高性能表现使其成为工程师设计高效电力转换系统时的首选器件。推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用此器件。

NTBV45N06LT4G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 2.4W(Ta),125W(Tj)
栅极电荷 32nC@ 5 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 22.5A,5V
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
10.29mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTBV45N06LT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBV45N06LT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTBV45N06LT4G NTBV45N06LT4G数据手册

NTBV45N06LT4G封装设计

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