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NVMFD5C470NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NVMFD5C470NL系列, Vds=40 V, 36 A, DFN封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 2835604
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G概述

    # NVMFD5C470NL MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVMFD5C470NL是一款适用于紧凑设计的双N沟道功率MOSFET。它的主要功能是降低导通损耗和驱动损耗,通过提供低RDS(on)和低QG(总栅极电荷)来实现。这款产品具备小尺寸(5x6 mm)、高可靠性和良好的热稳定性。适用于电源管理和各种需要高效率开关的应用场景,如工业控制、消费电子和通信设备。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | — | — | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | — | ±20 | V |
    | 持续漏电流(TJ=25°C) | ID | — | — | 36 | A |
    | 持续漏电流(TJ=100°C) | ID | — | — | 25 | A |
    | 功率耗散(TJ=25°C) | PD | — | — | 28 | W |
    | 功率耗散(TJ=100°C) | PD | — | — | 14 | W |
    | 瞬态漏电流(TJ=25°C) | IDM | — | — | 110 | A |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | — | — | 10 | μA |
    | 输入电容 | CISS | — | — | 590 | pF |
    | 输出电容 | COSS | — | — | 200 | pF |
    | 转移电容 | CRSS | — | — | 8.0 | pF |

    产品特点和优势


    NVMFD5C470NL具有以下几个显著的特点和优势:
    - 小封装:尺寸仅为5x6mm,适合紧凑设计。
    - 低RDS(on):最低为11.5mΩ@10V,有助于减少导通损耗。
    - 低QG:总栅极电荷仅为4.0nC,减少了驱动损耗。
    - 湿可焊性端子:提供了增强的光学检测能力。
    - AEC-Q101认证:符合汽车级标准。
    - 无铅且符合RoHS:绿色环保,符合国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    NVMFD5C470NL可以应用于多种场景,例如:
    - 电源管理:在高效率的直流-直流转换器中使用。
    - 工业控制:用于电机驱动和电磁阀控制。
    - 消费电子:适配智能手机和平板电脑的充电器和适配器。
    - 通信设备:应用于网络路由器和基站。
    在使用时应注意散热问题,特别是在高温环境下使用时需要特别注意热稳定性。可以通过增加散热片或优化电路布局来提高散热效果。此外,在选型时也需考虑负载电流的要求,避免因过载导致设备损坏。

    兼容性和支持


    NVMFD5C470NL与其他电子元器件的兼容性良好,可以轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,以确保客户能够顺利使用该产品。对于技术支持和订单信息的需求可以通过官方网站或联系当地的销售代表进行咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良 | 增加散热片或优化电路布局,确保良好的热稳定性。 |
    | 电流过大 | 检查负载电流是否超过额定值,避免过载。 |
    | 开关损耗高 | 调整驱动电路,降低QG值。 |
    | 不符合AEC-Q101标准 | 确保选用经过AEC-Q101认证的产品。 |

    总结和推荐


    综上所述,NVMFD5C470NL具有优秀的性能和可靠性,适用于多种应用场景。其小尺寸和低RDS(on)的特点使其成为电源管理和工业控制的理想选择。此外,它还通过了AEC-Q101认证,适合于汽车行业。因此,强烈推荐此款产品给对高性能和高可靠性有需求的设计者和工程师。

NVMFD5C470NLT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 11A,36A
栅极电荷 4nC@ 4.5V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 11.5mΩ@ 5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 20µA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 590pF@25V
FET类型 2个N沟道
配置
长*宽*高 6.1mm(长度)
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFD5C470NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5C470NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFD5C470NLT1G NVMFD5C470NLT1G数据手册

NVMFD5C470NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 7.5326
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