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NVJD5121NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2W 20V 2.35V@ 25uA 10nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 16.4mΩ@ 9.1A,10V 9.1A;11A 850pF@15V 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
供应商型号: AV-S-ONSNVJD5121NT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G概述

    MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD Protection, SC-88 技术手册解读

    产品简介


    NTJD5121N 和 NVJD5121N 是 ON Semiconductor 推出的一款高性能双 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。这些器件特别适合低侧负载开关及直流-直流转换器应用,例如降压和升压电路。产品以其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性著称,能够在汽车及其他需要严格控制的产品环境中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 60 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流(稳态) | ID | 295 | - | - | mA |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 1.0 | 1.6 | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 26 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 4.4 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 2.5 | - | pF |
    | 最大功率耗散 | PD | 250 | - | - | mW |
    其他关键特性包括:
    - 支持高达 60V 的电压等级。
    - 高耐久性静电放电保护(ESD)。
    - 极低的门限电压(VGS(th)),便于驱动。
    - Pb-Free 包装设计,环保且符合 RoHS 标准。

    产品特点和优势


    1. 低 RDS(on):在典型的 VGS=10V 条件下,RDS(on)仅为 1.6Ω,非常适合低功耗应用。
    2. ESD 保护:双通道配置确保内部每个通道都具有高可靠性的静电防护能力。
    3. 温度适应性强:工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,能够应对极端环境条件。
    4. 支持汽车应用:NVJD 前缀的型号具备 AEC-Q101 认证资格,适用于对质量要求极为苛刻的汽车电子领域。

    应用案例和使用建议


    1. 低侧负载开关:NTJD5121N 和 NVJD5121N 能够高效控制低压电路中的负载切换。建议结合散热片来降低温升,以提升器件寿命。
    2. DC-DC 转换器:典型的应用于降压(Buck)和升压(Boost)拓扑结构中,特别是在需要较高效率的电源管理模块内使用时表现卓越。
    - 使用注意事项:确保驱动信号稳定,避免高频尖峰干扰导致器件失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTJD5121N 和 NVJD5121N 可轻松替换传统封装,如 SOT-23 或 SOT-363,从而减少设计改动。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和热阻抗图表,以及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开机瞬间发热异常 | 确保电路中加入合适的栅极电阻以限制电流变化率。 |
    | 驱动电压不足导致关断不彻底 | 检查 VGS 是否达到启动阈值(典型值 1.7V)。 |
    | 设备过流损坏 | 在电路设计中增加过流保护机制。 |

    总结和推荐


    NTJD5121N 和 NVJD5121N 是一款高性价比、多功能且易于集成的功率 MOSFET,适合多种应用场合。特别是其优越的热管理能力和 ESD 保护使其成为现代电子系统开发的理想选择。
    综上所述,推荐在需要高可靠性和高性能的电子设计项目中选用此产品。同时,对于涉及复杂操作的终端用户,建议结合相关技术支持资源以获得最佳效果。

NVJD5121NT1G参数

参数
最大功率耗散 2W
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 16.4mΩ@ 9.1A,10V
栅极电荷 10nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 9.1A;11A
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 25uA
长*宽*高 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVJD5121NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVJD5121NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G数据手册

NVJD5121NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ $ 0.0621 ¥ 0.5494
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