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FQP19N20C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=200 V, 19 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 11M-FQP19N20C
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQP19N20C

FQP19N20C概述


    产品简介


    FQP19N20C / FQPF19N20C 是一款 N-Channel QFET® MOSFET,由 Fairchild Semiconductor(现已成为 ON Semiconductor 的一部分)生产。这款 MOSFET 主要用于电源管理和开关电源应用,如开关模式电源供应、主动功率因数校正(PFC)以及电子镇流器。这些设备通过先进的平面条纹和 DMOS 技术制造,具有低导通电阻和卓越的开关性能,能够承受高雪崩能量。

    技术参数


    主要参数
    - 漏源电压 (VDSS):200 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 25°C:19.0 A
    - 100°C:12.1 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):76.0 A
    - 栅源电压 (VGSS):± 30 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):433 mJ
    - 反向重复雪崩能量 (EAR):13.9 mJ
    - 最高结温 (TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    其他关键参数
    - 热阻 (RθJC, RθJA):
    - RθJC:0.9 °C/W
    - RθJA:62.5 °C/W
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 25°C:139 W
    - 每度温度下降:1.11 W/°C

    产品特点和优势


    FQP19N20C / FQPF19N20C MOSFET 有几个显著的特点:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):170 mΩ (在 VGS = 10 V 和 ID = 9.5 A 下)
    - 低栅极电荷 (Qg):典型值为 40.5 nC
    - 低交叉电容 (Crss):典型值为 85 pF
    - 100% 雪崩测试:确保长期稳定性和可靠性
    这些特点使得该器件非常适合于高效率电源应用,特别是在需要快速开关和高效能耗的应用中。

    应用案例和使用建议


    FQP19N20C / FQPF19N20C MOSFET 常用于以下场景:
    - 开关电源:如电源适配器和电池充电器
    - 功率因数校正 (PFC):确保电力系统的高效率
    - 电子镇流器:应用于照明系统,提高灯具寿命和效率
    在使用时,建议注意散热管理,以避免过热损坏。此外,适当的驱动电路设计也非常重要,以充分利用其高速开关特性。

    兼容性和支持


    该产品可与标准的 TO-220 封装相兼容,便于集成到现有系统中。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户指南和在线技术支持。如果需要进一步的定制或技术支持,可以直接联系 ON Semiconductor 官方渠道。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何防止器件过热?
    解决方案:在高负载情况下使用外部散热器,或者选择散热性能更好的封装类型(例如 TO-220F)。
    问题2:如何正确测量导通电阻 (RDS(on))?
    解决方案:在标准条件下测量(如 VGS = 10 V,ID = 9.5 A),确保测试条件的一致性。

    总结和推荐


    FQP19N20C / FQPF19N20C MOSFET 在高效率电源管理和开关应用中表现出色,具有优异的性能和稳定性。它适合于需要高可靠性和快速开关特性的应用场景。总体而言,我们非常推荐这款 MOSFET 作为高性能电源管理解决方案的首选。

FQP19N20C参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.08nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 9.5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 19A
最大功率耗散 139W(Tc)
栅极电荷 53nC@ 10 V
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQP19N20C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQP19N20C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQP19N20C FQP19N20C数据手册

FQP19N20C封装设计

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