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NVR4501NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.25W(Tj) 12V 1.2V@ 250µA 6nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 80mΩ@ 3.6A,4.5V 3.2A 200pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
供应商型号: 14M-NVR4501NT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVR4501NT1G

NVR4501NT1G概述

    NTR4501N/NVR4501N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTR4501N 和 NVR4501N 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些产品采用 SOT-23 封装,适用于各种电源转换和负载开关的应用场景。它们具有低栅极电荷和快速开关的特点,适用于低电压门驱动。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C 时为 3.2 A
    - TA = 85°C 时为 2.4 A
    - 最大漏极功耗 (PD):1.25 W
    - 脉冲漏极电流 (IDM):10.0 A (tp = 10 μs)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 150°C
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1.5 μA (TJ = 25°C),10 μA (TJ = 85°C)
    - 栅极-源极漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V 时为 70 mΩ 至 80 mΩ
    - VGS = 2.5 V 时为 88 mΩ 至 105 mΩ
    - 输入电容 (Ciss):200 pF (VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, VDS = 10 V)
    - 输出电容 (Coss):80 pF
    - 反向传输电容 (Crss):50 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):2.4 nC 至 6.0 nC
    - 开关时间 (td(on), tr, td(off), tf):见图表

    产品特点和优势


    - 先进的平面技术:提供了低栅极电荷和快速开关的优势。
    - 低电压门驱动:可以使用 2.5 V 的门电压进行驱动。
    - 小封装:SOT-23 封装,适用于空间受限的应用。
    - 汽车和工业应用:具有 AEC-Q101 认证,符合 PPAP 能力要求。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:环保设计。

    应用案例和使用建议


    - 负载/功率开关:适合便携式和计算设备的电源管理。
    - 直流-直流转换:用于提高能效和降低热损耗。

    使用建议:
    - 在高频应用中,应考虑电路板布局和寄生电感的影响,以确保最佳性能。
    - 在高温环境中使用时,需要确保散热良好,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些 MOSFET 可与其他同类 N 沟道 MOSFET 和标准电路板设计兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详细的技术支持,可通过电话、电子邮件和官方网站获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高温环境下电流容量下降。
    - 解决方案:使用散热片或风扇进行散热,确保工作温度不超过额定值。
    - 问题:开关时间不一致。
    - 解决方案:检查电路板布局,确保走线长度和宽度适当,减小寄生电感的影响。

    总结和推荐


    NTR4501N 和 NVR4501N MOSFET 非常适合作为高性能和高可靠性要求的应用,特别是在便携式设备和计算设备的电源管理中。其先进的平面技术和低栅极电荷使其在多种应用场景中表现出色。推荐在要求高性能和高可靠性的应用中使用。购买时可咨询当地销售代表获取更多技术细节和支持信息。

NVR4501NT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 200pF@10V
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 3.2A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 3.6A,4.5V
配置 独立式
最大功率耗散 1.25W(Tj)
栅极电荷 6nC@ 4.5 V
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVR4501NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVR4501NT1G数据手册

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NVR4501NT1G封装设计

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10+ ¥ 1.2563
30+ ¥ 0.9938
100+ ¥ 0.8376
300+ ¥ 0.7666
3000+ ¥ 0.7098
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