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NVMFS5C456NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 80 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: 10B-2895744-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C456NT1G

NVMFS5C456NT1G概述

    # MOSFET – Power, Single N-Channel 技术手册

    产品简介


    本文介绍的是N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)—— NVMFS5C456N。这是一种适用于紧凑设计的小型封装电子元器件,具有低RDS(on)和低QG及电容等特性。主要用于电源管理和各种高电流应用场合,如通信设备、工业自动化和汽车电子等领域。

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 80 | A |
    | 功率耗散 | PD | 55 | W |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 400 | A |
    | 工作结温和存储温度 | TJ, Tstg | -55到+175 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 40 V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VGS = 0 V, VDS = 40 V | 10 250 | μA |
    | 源电流(体二极管) | IS | VGS = 0 V, IS = 35 A | 45.5 A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 35 A 4.5 mΩ |
    | 输入电容 | CISS | VGS = 0 V, f = 1 MHz | 1150 pF |
    | 输出电容 | COSS | 600 pF |
    | 传输电容 | CRSS | 25 pF |
    | 门槛电荷 | QG(TH) | VGS = 10 V, VDS = 32 V | 3.7 nC |
    | 门槛栅极电荷 | QGS | 5.7 nC |
    | 栅极至漏极电荷 | QGD | 3.0 nC |
    热阻参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结至外壳热阻 | RJC | 2.7 | °C/W |
    | 结至环境热阻 | RJA | 42 | °C/W |

    产品特点和优势


    NVMFS5C456N 具备以下独特的功能和优势:
    - 小巧的封装(5x6 mm),适合紧凑设计。
    - 低 RDS(on),有助于最小化导通损耗。
    - 低 QG 和电容,有助于最小化驱动损耗。
    - NVMFS5C456NWF 版本提供湿法钝边选项,增强光学检测。
    - 经过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。
    - 无铅且符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通信设备:NVMFS5C456N 可用于通信设备中的电源转换模块,降低电路板的空间需求。
    - 工业自动化:适用于需要高效能转换的工业自动化设备。
    - 汽车电子:适合作为车用电源管理系统的组件,确保可靠运行。
    使用建议
    - 在使用时,确保电路设计充分考虑到该 MOSFET 的热阻参数,以便有效散热。
    - 确保驱动器具备足够的能力以驱动 MOSFET 的栅极电荷,特别是在高频率开关操作下。

    兼容性和支持


    - 该产品采用 DFN5 封装,与多种电路板兼容。
    - 制造商提供了详细的订购信息和技术支持,包括在线文档和客户支持热线。

    常见问题与解决方案


    问题一
    漏源电压 VDSS 无法达到标称值。
    - 解决方案:检查电路是否存在短路或过度应力。确认电路板的电气连接正确。
    问题二
    导通电阻 RDS(on) 高于预期。
    - 解决方案:确保栅极电压 VGS 达到规定的阈值电压以上,通常需要 10V 或更高。
    问题三
    热耗散过高。
    - 解决方案:增加散热片或考虑改进电路布局以提高散热效率。

    总结和推荐


    NVMFS5C456N 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有小型封装、低导通损耗、低驱动损耗等优点,特别适合紧凑设计的应用场合。其可靠性高,经过多项认证,适用于多种严苛的工业和汽车应用。强烈推荐给需要高效电源管理和空间受限的设计者们。
    通过以上技术手册内容的详细解析,可以清楚了解该产品在性能和应用上的优势。无论是从技术水平还是实际应用角度来看,NVMFS5C456N 都是一款值得信赖的选择。

NVMFS5C456NT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 20A,80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 18nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 35A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.15nF@25V
最大功率耗散 3.6W(Ta),55W(Tc)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 5.1mm(长度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C456NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C456NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C456NT1G NVMFS5C456NT1G数据手册

NVMFS5C456NT1G封装设计

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100+ ¥ 7.6043
160+ ¥ 7.6043
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