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NVMFS6H818NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),140W(Tc) 20V 2V@ 190µA 64nC@ 10 V 1个N沟道 80V 3.2mΩ@ 20A,10V 3.844nF@40V 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS6H818NLWFT1GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H818NLWFT1G

NVMFS6H818NLWFT1G概述

    NVMFS6H818NL MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVMFS6H818NL 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用于电源管理和高效率转换系统中。这种 MOSFET 设计紧凑,具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),适用于多种功率转换应用。该产品具有较小的尺寸(5x6mm),并且符合 AEC-Q101 标准,这意味着它经过严格的汽车应用测试。

    2. 技术参数


    NVMFS6H818NL 的关键技术参数如下:
    - 最大电压(VDSS):80 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时为 135 A
    - TC = 100°C 时为 95 A
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25°C 时为 140 W
    - TC = 100°C 时为 70 W
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 阈值电压(VGS(TH)):1.2 - 2.0 V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID = 20 A 时为 2.7 - 3.2 mΩ
    - VGS = 4.5 V,ID = 20 A 时为 3.3 - 4.1 mΩ
    - 栅极电荷(QG):
    - VGS = 10 V,VDS = 40 V 时为 64 nC
    - VGS = 4.5 V,VDS = 40 V 时为 6 nC
    - 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 焊接温度:260°C

    3. 产品特点和优势


    NVMFS6H818NL 具有以下几个显著特点和优势:
    - 小尺寸设计:采用 5x6 mm 封装,适合紧凑型设计。
    - 低导通电阻:降低传导损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷:减少驱动损耗,进一步提升效率。
    - 湿式斜坡选项:NVMFS6H818NLWF 提供湿式斜坡选项,便于光学检测。
    - AEC-Q101 资格认证:适用于汽车及其他高可靠性应用。
    - 无铅且符合 RoHS 规范:满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFS6H818NL 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达控制和电池管理等领域。例如,在电动汽车充电站中,这种 MOSFET 可用于电池充电和放电管理,以确保高效稳定的工作。为了充分利用其优势,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 确保散热良好,特别是在高温环境下。
    - 选择合适的栅极电阻以优化开关速度。
    - 使用适当的 PCB 布局,以减少杂散电感并增强电磁干扰(EMI)性能。

    5. 兼容性和支持


    NVMFS6H818NL 支持常见的电源管理系统和多种应用平台。此外,制造商提供了详细的文档和支持,包括 AEC-Q101 认证、PPAP(生产件批准程序)能力以及相关的技术支持。如果有任何疑问,可联系当地销售代表或访问官方网站获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:产品在高电流下发热严重。
    - 解决方法:确保良好的散热设计,增加散热片或采用更高效的散热材料。
    - 问题:电路中出现振荡现象。
    - 解决方法:检查并优化 PCB 布局,确保合理的栅极电阻选择。
    - 问题:在高温环境下性能下降。
    - 解决方法:选择具有较高工作温度范围的产品型号,并优化散热设计。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NVMFS6H818NL MOSFET 是一款非常适合高效率、紧凑型应用的器件,尤其适用于电源管理和马达控制领域。其独特的低 RDS(on) 和低栅极电荷设计使其在多种工业和汽车应用中表现出色。因此,强烈推荐该产品作为高性能 MOSFET 的选择。

NVMFS6H818NLWFT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 190µA
栅极电荷 64nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),140W(Tc)
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.844nF@40V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H818NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H818NLWFT1G数据手册

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