处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFS5C658NLWFTAG

NVTFS5C658NLWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 114W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 12nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 5mΩ@ 50A,10V 109A 1.935nF@25V WDFN-8 贴片安装 750μm(高度)
供应商型号: 10B-2760526-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5C658NLWFTAG

NVTFS5C658NLWFTAG概述

    NVTFS5C658NL Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS5C658NL 是一款高性能的单通道N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用。其最大额定电压为60V,最大连续漏极电流可达109A。此MOSFET采用小型封装(3.3mm x 3.3mm),适合紧凑设计需求,具有低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗,并且具有较低的电容,以减少驱动损耗。

    技术参数


    - 最大额定电压:VDSS = 60V
    - 最大漏极电流:稳态条件下TC=25°C时,ID = 109A;TC=100°C时,ID = 77A
    - 热阻抗:
    - 从结到外壳的热阻抗(RJC):1.3°C/W
    - 从结到环境的热阻抗(RJA):47°C/W
    - 其他特性:
    - 零栅源漏电流(IDSS):当VGS=0V且VDS=60V时,IDSS≤10μA(TJ=25°C)
    - 栅源漏电流(IGSS):VDS=0V,VGS=20V时,IGSS≤100nA
    - 转导电容(Ciss):VGS=0V,f=1.0MHz,VDS=25V时,Ciss=1935pF
    - 开关时间特性:上升时间tr=96ns,下降时间tf=105ns
    - 二极管正向电压(VSD):TJ=25°C时,VSD=0.9~1.2V

    产品特点和优势


    - 小尺寸封装:3.3mm x 3.3mm,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:5.0mΩ@10V,最大限度减少了导通损耗。
    - 低电容特性:输出电容Coss为890pF,有助于降低驱动损耗。
    - 环保特性:无铅,符合RoHS标准。
    - 汽车级认证:通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力。

    应用案例和使用建议


    NVTFS5C658NL MOSFET 主要用于电机控制、电池管理、电源转换和照明系统等领域。在电机控制系统中,该器件可以有效降低系统的整体功耗。对于电池管理系统,其低漏电流特性有助于延长电池寿命。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意选择合适的栅极电阻来优化开关特性。
    - 在高温环境中使用时,需考虑散热设计,确保结温不超过最大额定值。
    - 确保电路设计能够适应最大脉冲电流(IDM)的要求,避免过载风险。

    兼容性和支持


    该器件与大多数标准的焊接工艺兼容,采用无铅工艺生产。官方技术支持服务可通过电话、电子邮件等方式获取。同时,提供详细的封装尺寸文档和包装信息,便于客户进行更进一步的设计与制造过程。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查安装环境温度是否过高,适当调整散热措施。 |
    | 过电流保护失效 | 检查外围电路是否正确连接,确保符合最大电流限制要求。 |
    | 开关速度慢 | 确认栅极电阻设置合理,适当减小电阻值,提高开关速度。 |

    总结和推荐


    总体而言,NVTFS5C658NL MOSFET凭借其卓越的性能指标和多样的适用场景,在电力电子领域具有显著的优势。它的小巧体积、低损耗特性和广泛的兼容性使其成为工业应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET解决方案的工程师和技术人员。

NVTFS5C658NLWFTAG参数

参数
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.935nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
最大功率耗散 114W(Tc)
栅极电荷 12nC@ 4.5 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 50A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 109A
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 750μm(高度)
通用封装 WDFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5C658NLWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5C658NLWFTAG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5C658NLWFTAG NVTFS5C658NLWFTAG数据手册

NVTFS5C658NLWFTAG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.0056
100+ ¥ 8.6004
141+ ¥ 8.6004
1500+ ¥ 6.5597
库存: 1286
起订量: 21 增量: 1
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 110.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336