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FQPF30N06L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 38W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 20nC@ 5 V 1个N沟道 60V 35mΩ@ 11.3A,10V 22.5A 1.04nF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: FL-FQPF30N06L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF30N06L

FQPF30N06L概述

    FQPF30N06L N-Channel QFET® MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FQPF30N06L 是一种由Fairchild Semiconductor Corporation生产的 N-Channel 增强模式功率 MOSFET。它采用Fairchild独有的平面条纹和DMOS技术制造,旨在降低导通电阻(RDS(on)),提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。该产品适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等多种应用。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS):60 V
    - 连续漏电流 (ID):-25°C 时 22.5 A,100°C 时 15.9 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):90 A
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):350 mJ
    - 最大结温 (TJ, TSTG):-55°C 至 +175°C
    - 引脚焊接最高温度 (TL):300°C
    热阻抗
    - 结至外壳热阻 (RθJC):3.9°C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA):62.5°C/W
    电气特性
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1 µA
    - 正向栅体漏电流 (IGSSF):100 nA
    - 反向栅体漏电流 (IGSSR):-100 nA
    - 导通特性
    - 栅阈电压 (VGS(th)):1.0 V 至 2.5 V
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):10 V 时 35 mΩ
    - 前向跨导 (gFS):22 S
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):800 pF
    - 输出电容 (Coss):270 pF
    - 反向传输电容 (Crss):50 pF
    - 开关特性
    - 导通延迟时间 (td(on)):15 ns 至 40 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):60 ns 至 130 ns
    - 总栅极电荷 (Qg):15 nC 至 20 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:35 mΩ,有助于提高效率和减少功耗。
    - 低栅极电荷:典型值为 15 nC,适合高频应用。
    - 高雪崩能量:350 mJ,确保在极端条件下具有可靠的操作能力。
    - 低温漂移特性:栅源电压和导通电阻对温度的依赖性较低,适用于宽温度范围内的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET适用于多种应用,如开关电源、音频放大器和直流电机控制。在开关电源中,它能显著提升转换效率,减少发热。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,注意选择合适的栅极驱动电路以确保快速开关。
    - 在高温环境中,需考虑散热措施以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:由于Fairchild的部分零件号将改为符合ON Semiconductor系统要求的格式,订购时请务必检查最新的零件编号信息。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术支持和文档资料,用户可通过官方网站获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:无法启动或导通电阻异常增加。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号是否正确,确认栅极驱动电阻合适,避免过高的栅极噪声干扰。
    - 问题2:温度过高导致器件失效。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如加装散热片或风扇,合理布局电路板以提高空气流通。

    7. 总结和推荐


    总结:
    FQPF30N06L N-Channel QFET® MOSFET 凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高雪崩能量等优势,在众多应用中表现出色。尤其是在需要高效率和稳定性的场合,该产品是理想的选择。
    推荐:
    强烈推荐使用FQPF30N06L MOSFET,尤其适用于高频开关电源和高性能音频放大器等领域。同时,为了确保最佳性能和可靠性,请参考官方技术支持和文档进行操作。

FQPF30N06L参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.04nF@25V
栅极电荷 20nC@ 5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
最大功率耗散 38W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 11.3A,10V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 22.5A
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQPF30N06L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF30N06L数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF30N06L FQPF30N06L数据手册

FQPF30N06L封装设计

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