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NTTFS4821NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 660mW(Ta),38.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 24nC@ 11.5 V 1个N沟道 30V 7mΩ@ 20A,10V 7.5A,57A 1.755nF@12V DFN 贴片安装 3.05mm*3.05mm*750μm
供应商型号: FL-NTTFS4821NTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4821NTAG

NTTFS4821NTAG概述

    NTTFS4821N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS4821N 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有单通道设计,额定电压为30V,最大连续漏极电流可达57A。它适用于多种高效率电力转换应用,如DC-DC转换器和高端开关。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和电气特性:
    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压 (VDSS): 30V
    - 栅源击穿电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 13.5A (TA = 25°C), 9.7A (TA = 85°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 171A (tp = 10µs)
    - 热阻抗
    - 结至壳热阻 (RJA): 58.3°C/W (稳态)
    - 结至壳热阻 (RJC): 3.25°C/W
    - 电气特性
    - 开启电压 (VGS(TH)): 1.5V ~ 2.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 5.7mΩ ~ 7.0mΩ (VGS = 10V, ID = 20A)
    - 其他参数
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8.5ns (VGS = 11.5V, ID = 15A, RG = 3.0Ω)
    - 关断延迟时间 (td(off)): 23ns
    - 上升时间 (tr): 20ns
    - 下降时间 (tf): 2.8ns

    产品特点和优势


    NTTFS4821N 具备以下独特功能和优势:
    - 紧凑封装:小尺寸(3.3mm x 3.3mm),适合紧凑设计。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):低至5.7mΩ,可有效减少传导损耗。
    - 低电容:有助于减小驱动器损耗。
    - 无铅、无卤素材料:符合RoHS标准。
    这些特性使得该MOSFET在DC-DC转换器和其他需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    NTTFS4821N 主要应用于DC-DC转换器和高侧开关。在DC-DC转换器中,它可以有效地管理电源转换,降低能耗。对于高侧开关,它能够提供快速的开关速度和低导通损耗。
    使用建议:
    1. 散热管理:考虑到高电流操作下的发热问题,应采取有效的散热措施,如使用大面积铜散热板。
    2. 电路布局:合理的PCB布局可以减少寄生电感和电容的影响,提高整体电路性能。
    3. 驱动电路设计:选择合适的栅极驱动器以确保快速的开关速度,同时避免过高的栅极电压造成损害。

    兼容性和支持


    NTTFS4821N 支持广泛的应用场景,可以与常见的电源管理电路兼容。ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够高效地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及解决办法:
    1. 温度过高:
    - 解决方案:检查散热措施是否充分,增加散热片或散热风扇。

    2. 启动时不稳定:
    - 解决方案:确保正确的驱动电路设计和合适的栅极电阻。
    3. 电气参数异常:
    - 解决方案:重新检查安装步骤和焊接质量,确认没有短路或虚焊。

    总结和推荐


    综上所述,NTTFS4821N 是一款非常适合用于高效率电力转换和紧凑设计的N沟道增强型功率MOSFET。其紧凑的尺寸、低导通电阻和高可靠性使其在众多应用中脱颖而出。无论是作为DC-DC转换器的核心组件还是高侧开关,该产品都能表现出色。
    我们强烈推荐此款MOSFET,特别是对高效率和紧凑设计要求较高的应用场合。

NTTFS4821NTAG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
最大功率耗散 660mW(Ta),38.5W(Tc)
栅极电荷 24nC@ 11.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.755nF@12V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 20A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 7.5A,57A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式quaddraintriplesource
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 3.05mm*3.05mm*750μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTTFS4821NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4821NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4821NTAG NTTFS4821NTAG数据手册

NTTFS4821NTAG封装设计

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