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NTTFS4932NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 850mW(Ta),43W(Tc) 20V 1.2V 46.5nC@ 10 V 2个N沟道 30V 3.9mΩ 40A 3.111nF@15V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: CY-NTTFS4932NTAG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4932NTAG

NTTFS4932NTAG概述

    NTTFS4932N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS4932N 是一款单片 N-沟道 MOSFET,采用 8FL 封装。它被设计用于多种低功耗应用,如低侧直流-直流转换器、电源负载开关、笔记本电池管理以及电机控制。这种 MOSFET 具有出色的低导通电阻特性,能够显著降低传导损耗,同时具有低电容和优化的栅极电荷,进一步减少驱动损耗和开关损耗。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 持续漏电流 (ID): 最大 79 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 235 A (tp = 10 μs)
    - 热阻 (RJA): 最小值为 147.6 °C/W,最大值为 27.5 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 开启特性:
    - 栅阈电压 (VGS(TH)): 1.2 V 至 2.2 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大 4.0 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)
    - 关闭特性:
    - 源漏击穿电压 (V(BR)DSS): 30 V (VGS = 0 V, ID = 250 μA)
    - 开关特性:
    - 开启延时时间 (td(on)): 11 ns (VGS = 10 V, VDS = 15 V, ID = 15 A, RG = 3.0 Ω)
    - 关闭延时时间 (td(off)): 35.6 ns
    - 上升时间 (tr): 21.5 ns
    - 下降时间 (tf): 3.5 ns
    - 栅极和源极的电容特性:
    - 输入电容 (Ciss): 3111 pF (VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, VDS = 15 V)
    - 输出电容 (Coss): 1064 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 42 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 46.5 nC (VGS = 10 V, VDS = 15 V, ID = 20 A)

    产品特点和优势


    NTTFS4932N 的显著特点是其低导通电阻 (RDS(on)) 和优化的栅极电荷 (QG(TOT)),这使得它非常适合需要高效运行的应用场合。它的低电容特性有助于减少驱动损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。此外,该 MOSFET 是无铅、无卤素和无 BFR 的,并且符合 RoHS 标准,确保在生产过程中对环境的影响最小。

    应用案例和使用建议


    NTTFS4932N 在低侧直流-直流转换器、电源负载开关和笔记本电池管理中的应用非常广泛。例如,在笔记本电池管理系统中,它可以作为电池保护电路的关键部件,提供过流保护和短路保护功能。为了充分发挥其潜力,建议在应用中采用适当的 PCB 设计和散热措施,以确保在高电流和高温环境下稳定运行。

    兼容性和支持


    NTTFS4932N 兼容大多数现有的电子系统和设备,特别是在需要低功耗和高效能的应用中。制造商 ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南和技术文档,帮助用户更好地理解和使用这款产品。同时,ON Semiconductor 还提供了详尽的在线资源,方便用户进行购买和获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开启和关闭时间较长。
    - 解决方案: 增加栅极电阻 (RG) 或选择具有较低栅极电荷 (QG(TOT)) 的 MOSFET。
    - 问题: 发生热关断。
    - 解决方案: 改善散热设计,使用更大的散热器或增加冷却风扇。
    - 问题: 源漏电流过大。
    - 解决方案: 检查电路中的漏电流路径并减少可能的泄漏点。

    总结和推荐


    NTTFS4932N 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,特别适用于需要低功耗和高效能的电子系统。其独特的低导通电阻和优化的栅极电荷使其在各种应用中表现出色。对于寻求高效能和低损耗解决方案的设计者来说,NTTFS4932N 是一个非常值得推荐的产品。

NTTFS4932NTAG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Id-连续漏极电流 40A
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ
最大功率耗散 850mW(Ta),43W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 46.5nC@ 10 V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.111nF@15V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTTFS4932NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4932NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4932NTAG NTTFS4932NTAG数据手册

NTTFS4932NTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ $ 0.3661 ¥ 3.1512
1000+ $ 0.3558 ¥ 3.0066
5000+ $ 0.3558 ¥ 3.0066
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