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NVMFS5C468NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),28W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 7.9nC@ 10 V 1个N沟道 40V 12mΩ@ 10A,10V 12A,35A 420pF@25V DFN 贴片安装
供应商型号: 863-NVMFS5C468NWFT1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C468NWFT1G

NVMFS5C468NWFT1G概述


    产品简介


    NVMFS5C468N 是一款来自安森美半导体(ON Semiconductor)的 N 沟道功率 MOSFET,专为需要高效能、低损耗的应用设计。该器件采用 DFN5 封装,具有紧凑的设计尺寸(5x6 mm),非常适合空间受限的应用场合。它广泛应用于电源管理、电机驱动、服务器电源系统、电信设备以及各类工业控制设备中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 40 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | TC=25°C | ID | 35 | A |
    | 持续漏极电流 | TC=100°C | ID | 25 | A |
    | 功耗 | TC=25°C | PD | 28 | W |
    | 功耗 | TC=100°C | PD | 14 | W |
    | 单脉冲漏极电流 | TA=25°C,tp=10μs | IDM | 151 | A |
    | 端子温度和存储温度 | TJ,Tstg | -55 到 +175 | °C |
    | 源极电流(体二极管) | IS | 23 | A |
    | 单脉冲漏极-源极雪崩能量 | EAS | 75 | mJ |

    产品特点和优势


    - 紧凑封装:5x6 mm 的小封装尺寸,适用于对空间要求高的应用。
    - 低导通电阻:12 mΩ @ 10 V VGS,有效减少功耗。
    - 低栅极电荷:7.9 nC 的总栅极电荷,降低驱动器损耗。
    - 增强型光检选项:NVMFS5C468NWF 具有湿可焊侧翼选项,方便进行光学检测。
    - 汽车级认证:通过 AEC-Q101 认证,符合 PPAP 标准。
    - 环保材料:无铅且符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    NVMFS5C468N 可广泛应用于电源管理和电机驱动系统。例如,在服务器电源系统中,其高可靠性与低功耗特性能够显著提升系统的整体效率;在电信设备中,其紧凑的尺寸和高性能表现使得设备更加稳定可靠。
    使用建议:
    为了确保最佳性能和延长使用寿命,在设计时需注意散热设计。对于大规模功率应用,建议使用较大的散热片或热管进行辅助散热,以确保器件在正常工作温度范围内运行。同时,建议在实际电路中合理布局和走线,避免由于电磁干扰或线路压降带来的不利影响。

    兼容性和支持


    该器件与其他标准的 N 沟道 MOSFET 在电气参数上具有良好的兼容性,可以轻松替换现有应用中的器件。安森美半导体提供详尽的技术文档和支持服务,包括但不限于电路设计指南、样品申请及技术支持热线等,确保用户在使用过程中获得全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定该器件的最大允许温度?
    答: 该器件的最大存储和操作温度范围为 -55°C 至 +175°C。确保工作环境不超出此范围,可以防止因过热而导致的损坏。
    2. 问:是否支持短时间内的大电流冲击?
    答: 该器件支持单脉冲漏极电流高达 151 A(10 μs 脉冲宽度)。但是,请注意不要超过规定的最大持续电流值(35 A @ TC=25°C 和 25 A @ TC=100°C),以免损坏器件。
    3. 问:如果要替代其他品牌的 MOSFET,需要考虑哪些因素?
    答: 需要特别关注参数如漏极-源极电压(VDSS)、导通电阻(RDS(on))、最大漏极电流(ID(max))以及封装类型等因素,确保新旧器件在这些关键点上具有良好的匹配度。

    总结和推荐


    NVMFS5C468N 是一款性能优越、适应性强的 N 沟道功率 MOSFET。其紧凑的设计、优异的电气特性使其成为众多高要求应用的理想选择。无论是在电源管理还是电机驱动领域,这款器件都能表现出色,显著提高系统效率并延长使用寿命。因此,强烈推荐在相关项目中采用该器件,以获得最佳的性能和可靠性。

NVMFS5C468NWFT1G参数

参数
最大功率耗散 3.5W(Ta),28W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 7.9nC@ 10 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 12A,35A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 420pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C468NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C468NWFT1G数据手册

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NVMFS5C468NWFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.6215 ¥ 13.7017
10+ $ 1.2305 ¥ 10.3977
100+ $ 0.8261 ¥ 6.9805
500+ $ 0.6599 ¥ 5.576
1000+ $ 0.6588 ¥ 5.5669
1500+ $ 0.5951 ¥ 5.0284
9000+ $ 0.5576 ¥ 4.7113
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