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FQD5P20TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),45W(Tc) 30V 5V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 200V 1.4Ω@ 1.85A,10V 3.7A 430pF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: FQD5P20TM
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD5P20TM

FQD5P20TM概述


    产品简介


    FQD5P20 / FQU5P20 — P-Channel QFET® MOSFET
    FQD5P20 和 FQU5P20 是由 Fairchild Semiconductor 生产的P沟道增强模式功率MOSFET。该系列 MOSFET 采用 Fairchild 的平面条纹和 DMOS 技术制造,具有低导通电阻(1.4 Ω),并能提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于多种应用,如开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):-200 V
    - 连续漏极电流 (ID):-3.7 A(TC = 25°C),-2.34 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-14.8 A
    - 栅源电压 (VGSS):±30 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):330 mJ
    - 峰值二极管恢复速率 (dv/dt):-5.5 V/ns
    - 最大耗散功率 (PD):2.5 W(TA = 25°C), 45 W(TC = 25°C)
    - 热阻 (RθJA):110°C/W(最小铜垫面积为2oz)
    - 操作和存储温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) = 1.4 Ω(Max. @ VGS = -10 V, ID = -1.85 A)
    - 低门电荷:典型值 10 nC
    - 低 Crss:典型值 12 pF
    - 100% 雪崩测试:确保器件的可靠性和耐用性
    这些特点使得 FQD5P20 / FQU5P20 在高压大电流应用中表现出色,特别是在需要高效能和可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:FQD5P20 / FQU5P20 在开关电源中可实现高效的电压转换和控制。
    - 音频放大器:利用其低噪声特性和高可靠性,可以作为音频放大器的功率级器件。
    - 直流电机控制:适合于需要快速响应和高电流驱动的应用。
    - 可变开关电源:能够提供稳定的输出电压,适用于各种负载条件。
    使用建议
    - 热管理:由于其较高的热阻,建议在使用时增加散热措施,例如使用大面积铜垫或外部散热片。
    - 驱动电路设计:考虑使用合适的栅极电阻以避免过高的 dv/dt,从而保护器件免受损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件适用于多种封装形式(如 DPAK 和 I-PAK),易于集成到不同的 PCB 设计中。
    - 支持与维护:ON Semiconductor 提供详细的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门电荷过高导致开关速度慢。
    - 解决方案:选择适当的栅极电阻以优化门电荷,提高开关速度。

    2. 问题:长时间工作后器件温度过高。
    - 解决方案:改善散热设计,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐


    FQD5P20 / FQU5P20 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,适用于高压大电流应用。其低导通电阻和可靠的雪崩测试使其在市场上具有较强的竞争力。虽然热管理需要特别注意,但通过适当的电路设计和散热措施,这款器件将为用户提供稳定且高效的性能。因此,我们强烈推荐使用 FQD5P20 / FQU5P20 在需要高效率和高可靠性的应用中。

FQD5P20TM参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 1.85A,10V
Id-连续漏极电流 3.7A
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
最大功率耗散 2.5W(Ta),45W(Tc)
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 13nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 430pF@25V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FQD5P20TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD5P20TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD5P20TM FQD5P20TM数据手册

FQD5P20TM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.375
100+ ¥ 2.562
2500+ ¥ 2.4
5000+ ¥ 2.36
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