处理中...

首页  >  产品百科  >  FCD620N60ZF

FCD620N60ZF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 89W(Tc) 20V 5V@ 250µA 36nC@ 10V 1个N沟道 600V 620mΩ@ 3.6A,10V 7.3A 1.135nF@25V TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FCD620N60ZFTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCD620N60ZF

FCD620N60ZF概述


    产品简介


    FCD620N60ZF 是一款由Fairchild Semiconductor公司生产的N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET,适用于高电压和高频应用。它主要用于液晶电视(LCD)、LED电视及显示器背光照明、太阳能逆变器、AC-DC电源供应等领域。该器件具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能,适用于功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源及工业电源等多种应用场合。

    技术参数


    以下是FCD620N60ZF的技术参数概览:
    - 最大漏源电压(VDSS):600 V
    - 最大栅源电压(VGSS):±20 V(直流);±30 V(交流)
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在25°C时:7.3 A
    - 在100°C时:4.6 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):21.9 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):135 mJ
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):
    - 在10 V栅压下:0.528 Ω
    - 典型值:620 mΩ
    - 典型栅极电荷(Qg):20 nC
    - 有效输出电容(Coss(eff.)):71 pF
    - 热阻:
    - 结到外壳(RθJC):1.4 °C/W
    - 结到环境(RθJA):100 °C/W

    产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:典型值仅为20 nC,可以有效降低开关损耗。
    - 低有效输出电容:71 pF的有效输出电容有助于减少寄生效应,提高系统效率。
    - 优秀的雪崩性能:所有产品都经过单脉冲雪崩测试,保证可靠性和安全性。
    - 改进的ESD能力:增强了静电放电(ESD)性能,提高了可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保设计,确保安全无害。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 太阳能逆变器:利用其低导通电阻和高效能特性,实现高效的转换效率。
    - LCD / LED / PDP TV和显示器背光照明:其出色的开关性能适合用于频繁切换的应用场合。
    使用建议:
    - 优化散热设计:考虑到其较高热阻,确保良好的散热措施,例如使用散热片或热管。
    - 注意驱动条件:确保驱动条件满足其规格要求,避免超过最大额定值导致损坏。
    - 测试环境适应性:鉴于工作温度范围宽广(-55°C至+150°C),需要根据具体应用场景进行适当选择。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 标准封装:D-PAK封装,易于安装在PCB上。
    - 可与其他标准电路板兼容:适用于大多数通用电路板布局。
    支持与维护:
    - 供应商技术支持:通过电子邮件或其他渠道获取技术支持,及时解决问题。
    - 产品更新信息:可以通过ON Semiconductor官网获得最新的产品信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温度环境下,器件性能下降。
    - 解决方案:确保在设计时考虑良好的散热措施,如增加散热片或使用散热器。
    2. 问题:启动时有异常现象。
    - 解决方案:检查电路中的驱动条件,确认是否符合器件的要求。
    3. 问题:栅极驱动不稳定。
    - 解决方案:使用合适的栅极电阻和电容滤波,以稳定栅极信号。

    总结和推荐


    总结:
    - FCD620N60ZF是一款高性能、高可靠的N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET,具有超低栅极电荷和低有效输出电容等特点,非常适合在多种高电压、高频率应用场合中使用。
    - 它通过优化设计,在提供优异性能的同时,还能保持出色的可靠性和稳定性。
    推荐:
    - 强烈推荐:鉴于其优越的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐使用FCD620N60ZF MOSFET。无论是在高功率需求的应用中还是在严格的工业环境中,该产品都是一个值得信赖的选择。

FCD620N60ZF参数

参数
栅极电荷 36nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 620mΩ@ 3.6A,10V
最大功率耗散 89W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 7.3A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.135nF@25V
配置 独立式
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FCD620N60ZF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCD620N60ZF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCD620N60ZF FCD620N60ZF数据手册

FCD620N60ZF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.8592 ¥ 7.1903
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 17975.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336