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FCP110N65F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.2W 20V 5V@3.5mA 3.2nC 2个N沟道 100V 92mΩ 3.5A 430pF TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FCP110N65F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCP110N65F

FCP110N65F概述


    产品简介


    FCP110N65F — N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET
    FCP110N65F是一款由Fairchild半导体开发的高性能N沟道超级结(Super-Junction)MOSFET,属于SuperFET® II系列。这种MOSFET采用先进的电荷平衡技术,能够实现低导通电阻和低门极电荷,适用于多种开关电源应用。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS (Drain to Source Voltage) | - 650 V |
    | VGSS (Gate to Source Voltage) | DC | -20 | ±20 V |
    AC (f > 1 Hz)| -30 | ±30 V |
    | ID (Drain Current) | 连续 (TC = 25oC) 35 A |
    连续 (TC = 100oC) 24 A |
    | IDM (Drain Current - Pulsed) | - 105 A |
    | EAS (单脉冲雪崩能量) | - 809 mJ |
    | IAR (雪崩电流) | - 8 A |
    | EAR (重复雪崩能量) | - 3.57 mJ |
    | dv/dt (MOSFET dv/dt) | - 100 V/ns|
    | PD (Power Dissipation) | (TC = 25oC) 357 W |
    温度上升率 2.86 W/oC|
    | TJ, TSTG (Operating and Storage Temperature Range) | -55至+150 oC |

    产品特点和优势


    1. 高电压耐受性:700V @ TJ = 150°C。
    2. 超低导通电阻:典型值96mΩ(典型)。
    3. 极低的门极电荷:典型值98nC。
    4. 低有效输出电容:典型值464pF。
    5. 100% 雪崩测试:确保可靠性能。
    6. RoHS 合规:环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - LCD / LED / PDP 电视:用于液晶、LED、PDP电视的电源供应。
    - 电信/服务器电源供应:适用于电信和服务器系统的电源转换。
    - 太阳能逆变器:用于将太阳能转化为可用电力。
    - AC - DC 电源供应:适用于各种AC到DC的电源转换场合。
    使用建议
    - 热管理:由于其高功率消耗,在设计电路时需考虑良好的散热措施,如安装散热片。
    - 驱动方式:建议采用适当的栅极电阻,以降低dv/dt并提高稳定性。
    - 系统集成:对于复杂的应用场景,可以参考厂商提供的参考设计,确保系统可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 封装:TO-220封装,标准引脚配置,方便与其他电子元件连接。
    - 供应商支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户可以快速上手。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何进行散热?
    - 解决方案:使用散热片或其他冷却装置,如风扇,以确保MOSFET温度保持在安全范围内。
    2. 如何减少dv/dt?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,并适当调整电路布局以减少杂散电感。
    3. 启动时的过电流问题如何处理?
    - 解决方案:在电路中添加软启动电路或限流电阻,逐步增加电流,防止瞬间过载。

    总结和推荐


    FCP110N65F凭借其出色的电气性能和广泛的适用范围,是一款非常适合开关电源和电源转换应用的高性能MOSFET。其高耐压能力和低导通电阻使其在众多应用中表现出色。推荐用户根据具体应用场景选择合适的型号,并严格按照厂商提供的指南进行使用,以确保最佳性能和长久可靠性。

FCP110N65F参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
最大功率耗散 1.2W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 430pF
栅极电荷 3.2nC
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 92mΩ
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@3.5mA
Id-连续漏极电流 3.5A
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

FCP110N65F厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCP110N65F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCP110N65F FCP110N65F数据手册

FCP110N65F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 22.8
1600+ ¥ 21.06
2400+ ¥ 19.38
库存: 3200
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 18240
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型号 价格(含增值税)
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