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FQPF4N90CT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 47W(Tc) 30V 5V@ 250µA 22nC@ 10V 1个N沟道 900V 4.2Ω@ 2A,10V 4A 960pF@25V TO-220F 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FQPF4N90CT
供应商: 云汉优选
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF4N90CT

FQPF4N90CT概述


    产品简介


    FQP4N90C / FQPF4N90C N-Channel QFET® MOSFET
    FQP4N90C / FQPF4N90C 是由 Fairchild Semiconductor 生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用Fairchild专有的平面条纹技术和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制造。这款先进的MOSFET被特别设计用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、主动式功率因数校正(PFC)和电子灯管镇流器等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDSS): 900 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 25°C: 4 A
    - 在 100°C: 2.3 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 570 mJ
    - 最大门限电压 (VGSS): ± 30 V
    - 最大门源电荷 (Qg): 17 nC
    - 输入电容 (Ciss): 740 pF
    - 输出电容 (Coss): 65 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 5.6 pF
    - 饱和漏源电阻 (RDS(on)): 4.2 Ω (最大值) @ VGS = 10 V, ID = 2 A
    - 热特性
    - 结点到外壳热阻 (RθJC): 0.89 °C/W (最大值)
    - 结点到环境热阻 (RθJA): 62.5 °C/W (最大值)
    - 操作环境
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:最大导通电阻为 4.2 Ω (VGS = 10 V, ID = 2 A),确保高效功率转换。
    2. 低栅极电荷:典型值仅为 17 nC,有助于减少开关损耗。
    3. 低输入电容和输出电容:分别典型值为 740 pF 和 65 pF,改善开关性能。
    4. 高雪崩能量:单脉冲雪崩能量达 570 mJ,提高可靠性。
    5. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源:适合各种电源转换应用,如笔记本电脑充电器和数据中心电源系统。
    - 主动式功率因数校正:用于改善电源系统的能效。
    - 电子灯管镇流器:用于驱动LED灯或其他照明设备。
    使用建议:
    1. 散热管理:在高负载下工作时,确保良好的散热以避免过热。可以使用散热片或风扇来提高散热效果。
    2. 门极驱动电路:优化门极驱动电路的设计,减少开关损耗并提高效率。
    3. 布局规划:合理规划PCB布局,尽量缩短器件间的连接线长度,减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:FQP4N90C 采用 TO-220 封装,FQPF4N90C 采用 TO-220F 封装,兼容标准插座。
    - 技术支持:Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,用户可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术支持资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,MOSFET 过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇。确保良好的气流和散热路径。
    2. 问题:开关速度较慢,影响效率。
    - 解决方案:优化门极驱动电路设计,减少门极电荷,加快开关速度。
    3. 问题:出现振铃现象。
    - 解决方案:优化 PCB 布局,减小引线长度和寄生电感,使用合适的门极电阻。

    总结和推荐


    FQP4N90C / FQPF4N90C 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩能量等特点,适用于多种电力转换应用。该器件在极端工作环境下表现出色,能够有效提高系统的效率和可靠性。强烈推荐给需要高效、高可靠性的电源和控制系统设计师。
    综上所述,FQP4N90C / FQPF4N90C 在各种电力转换应用中表现出色,是值得推荐的产品。

FQPF4N90CT参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
最大功率耗散 47W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2Ω@ 2A,10V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 22nC@ 10V
通道数量 1
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 960pF@25V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

FQPF4N90CT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF4N90CT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF4N90CT FQPF4N90CT数据手册

FQPF4N90CT封装设计

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200+ ¥ 6.3766
300+ ¥ 6.1461
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