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NVTFS6H860NLWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),42W(Tc) 20V 2V@ 30µA 12nC@ 10 V 1个N沟道 80V 20mΩ@ 5A,10V 610pF@40V 8WDFN 贴片安装
供应商型号: 488-NVTFS6H860NLWFTAGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS6H860NLWFTAG

NVTFS6H860NLWFTAG概述

    MOSFET - Power, Single N-Channel NVTFS6H860NL 技术手册

    1. 产品简介


    NVTFS6H860NL 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流和低电阻设计。它适用于多种电源管理应用,如开关电源、电机驱动器和电池充电器等。这款MOSFET具备小体积封装、低导通电阻和低电容的特点,能够在紧凑的设计中实现高效能操作。

    2. 技术参数


    - 主要规格
    - 额定电压:80 V
    - 导通电阻:20 mΩ(@ 10 V),26 mΩ(@ 4.5 V)
    - 持续漏极电流:30 A(@ TC=25°C),21 A(@ TC=100°C)
    - 功耗:42 W(@ TC=25°C),21 W(@ TC=100°C)
    - 热阻抗
    - 结至壳体:3.6 °C/W
    - 结至环境:48 °C/W
    - 电气特性
    - 输入电容:610 pF
    - 输出电容:83 pF
    - 门阈电压:1.2 V 至 2.0 V
    - 转换增益:45 S

    3. 产品特点和优势


    - 小封装尺寸:3.3 x 3.3 mm,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:最小导通电阻为20 mΩ(@ 10 V),有效降低功率损耗。
    - 低电容:输入、输出和反向传输电容分别为610 pF、83 pF 和 5 pF,有助于减少驱动损耗。
    - 湿气可焊性侧边:NVTFS6H860NLWF 版本具有湿气可焊性侧边,提升焊接质量。
    - 认证标准:通过AEC-Q101认证,符合PPAP生产件批准程序要求。
    - 无铅和RoHS合规:环保材料,符合行业标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其低导通电阻和高耐压特性,适用于高频开关电源,提高转换效率。
    - 电机驱动:内置低电容特性,减少驱动损耗,适合电机驱动器应用。
    - 电池充电器:在电池充电器中,可以显著提高充电效率,降低发热量。
    使用建议:
    - 在选择门驱动电路时,建议使用适当的门电阻以控制切换时间,防止过冲和振铃。
    - 确保散热片或其他散热方式的有效使用,以保证器件长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准N沟道MOSFET引脚兼容,便于替换和升级。
    - 技术支持:厂商提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的装配指南、标记信息和封装尺寸规范。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重。
    - 解决方案:确保使用足够的散热措施,如散热片,并且确保良好的电路布局和走线。

    - 问题2:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查是否在额定电压范围内工作,确认门电压是否合适。适当调整电路参数以达到最佳工作状态。

    - 问题3:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路设计,增加滤波电容,避免电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    NVTFS6H860NL凭借其紧凑的设计、低导通电阻和低电容特性,在多种电源管理应用中表现出色。其独特的湿气可焊性侧边设计,提升了焊接质量和可靠性。对于需要高效能、低损耗和紧凑设计的应用场景,NVTFS6H860NL是一款值得推荐的产品。我们强烈推荐使用此产品以满足高要求的应用需求。

NVTFS6H860NLWFTAG参数

参数
栅极电荷 12nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 3.1W(Ta),42W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 610pF@40V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 30µA
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 5A,10V
通用封装 8WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS6H860NLWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS6H860NLWFTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS6H860NLWFTAG NVTFS6H860NLWFTAG数据手册

NVTFS6H860NLWFTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 0.4731 ¥ 3.9594
3000+ $ 0.4307 ¥ 3.6043
4500+ $ 0.4306 ¥ 3.6035
7500+ $ 0.4225 ¥ 3.5358
库存: 1500
起订量: 1500 增量: 1
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