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NVTFWS005N04CTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),50W(Tc) 20V 3.5V@ 40µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 40V 5.6mΩ@ 35A,10V 17A,69A 1nF@25V 8WDFN 贴片安装
供应商型号: FL-NVTFWS005N04CTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFWS005N04CTAG

NVTFWS005N04CTAG概述

    MOSFET – Power, Single, N-Channel NVTFS005N04C 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVTFS005N04C 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和较小的封装尺寸,适用于紧凑设计。它在电力电子、电源管理和电机控制等领域有着广泛应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 40 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 69 A
    - TC = 100°C: 39 A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C: 50 W
    - TC = 100°C: 16 W
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 297 A
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 至 +175 °C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 40 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):
    - TJ = 25°C: < 10 μA
    - TJ = 125°C: < 250 μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): < 100 nA
    - 开启电压 (VGS(TH)): 2.5 至 3.5 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 5.6 mΩ @ 10 V
    - 输入电容 (Ciss): < 1000 pF
    - 输出电容 (Coss): < 530 pF
    - 门槛栅电荷 (QG(TH)): 3.2 nC
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): 11 ns
    - 上升时间 (tr): 72 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 24 ns
    - 下降时间 (tf): 8 ns

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸封装: 3.3 x 3.3 mm 的封装尺寸有助于减小电路板空间占用。
    - 低导通电阻: 低至 5.6 mΩ,显著减少导通损耗。
    - 低栅极电荷: 有利于降低驱动损耗。
    - 符合标准: 通过 AEC-Q101 认证,可实现生产件批准程序(PPAP)。
    - 无铅且 RoHS 合规: 符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于电动工具、电源适配器、电机驱动器和电池管理系统。
    - 使用建议:
    - 确保驱动器提供足够的栅极电压以降低导通电阻。
    - 在高温度环境下使用时,注意散热措施以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种电源管理和电机控制的应用场景。
    - 支持: 产品文档详细,可通过官方网站获取更多支持和技术资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 增加栅极电阻或降低栅极电荷以提高开关速度。
    - 问题: 温度过高
    - 解决方案: 改善散热,增加散热片或采用外部冷却方式。
    - 问题: 泄漏电流过大
    - 解决方案: 检查 PCB 设计和布局,确保没有额外的漏电流路径。

    7. 总结和推荐


    NVTFS005N04C MOSFET 是一款高性能、紧凑型的功率 MOSFET,在低功耗应用中表现出色。其独特的设计和高可靠性使其成为电力电子应用的理想选择。强烈推荐给需要高效能和小型化解决方案的设计工程师。
    这份技术手册详细介绍了 NVTFS005N04C MOSFET 的性能参数和应用场景,为设计和使用该产品提供了全面的技术指导。

NVTFWS005N04CTAG参数

参数
Id-连续漏极电流 17A,69A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 40µA
最大功率耗散 3.1W(Ta),50W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 5.6mΩ@ 35A,10V
栅极电荷 16nC@ 10 V
通用封装 8WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFWS005N04CTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFWS005N04CTAG数据手册

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NVTFWS005N04CTAG封装设计

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