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NTLJD3119CTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.3W 8V 1V@ 250µA 3.7nC@ 4.5V 1个N沟道,1个P沟道 20V 65mΩ@ 3.8A,4.5V 3.8A 271pF@10V DFN 贴片安装 2mm*2mm*750μm
供应商型号: 1453624
供应商: element14
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTLJD3119CTAG

NTLJD3119CTAG概述

    NTLJD3119C MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTLJD3119C 是一种互补型功率 MOSFET,采用 WDFN(无引脚封装)封装,尺寸为 2x2 mm。这款 MOSFET 主要用于同步直流-直流转换电路以及便携式设备的负载/电源管理。它特别适用于 PDA、蜂窝电话和硬盘驱动器等便携式电子设备的电源管理和显示调节。

    技术参数


    NTLJD3119C 的关键技术参数如下:
    - 电压范围:N-通道和P-通道的栅极至源极电压最大为±8.0 V;N-通道的漏极至源极电压最大为20 V,P-通道的漏极至源极电压最大为-20 V。
    - 电流能力:
    - N-通道:稳态电流25°C时为3.8 A,85°C时为2.8 A;脉冲电流最大为18 A。
    - P-通道:稳态电流25°C时为-3.3 A,85°C时为-2.4 A;脉冲电流最大为-20 A。
    - 热阻抗:单个操作时稳态结到环境的最大热阻为83°C/W;双操作时为58°C/W。
    - 阈值电压:N-通道和P-通道的门限电压分别为0.4 V 至1.0 V 和-0.4 V 至-1.0 V。
    - 导通电阻:N-通道在1.8 V下最大导通电阻为65 mΩ,在2.5 V下为46 mΩ;P-通道在-1.8 V下最大导通电阻为200 mΩ,-2.5 V下为101 mΩ。

    产品特点和优势


    NTLJD3119C 具有以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:采用了先进的沟槽技术,使得导通电阻非常低,确保了高效率的能量传输。
    - 优秀的热传导性:通过底部带有散热垫的无引脚封装,可以有效改善热性能。
    - 低剖面设计:<0.8 mm 的低剖面设计使其易于适应薄型环境。
    - 环保材料:作为无铅设备,符合RoHS标准,环保且耐用。

    应用案例和使用建议


    NTLJD3119C 可应用于多种场合,如同步直流-直流转换电路、便携式设备的电源管理和显示调节等。以下是几点使用建议:
    - 在高频应用中,确保散热良好,以避免因过热导致性能下降。
    - 使用适当的大容量电容器,有助于稳定电路,特别是在电流变化较大的情况下。
    - 注意门限电压的选择,避免过高的门限电压引起不必要的功耗。

    兼容性和支持


    NTLJD3119C 的WDFN 封装设计使其容易与其他相同封装的器件进行替换和兼容。ON Semiconductor公司提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用其特性。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何测量 MOSFET 的导通电阻?
    - 解答:使用数字万用表测量漏极和源极之间的电压,当栅极电压达到阈值电压时,记录该电压值,然后计算导通电阻 RDS(on) = VDS / IDS。
    - 问题:在高温环境下工作,器件的性能是否会受到影响?
    - 解答:NTLJD3119C 设计能够承受较高的温度范围,但需要注意确保良好的散热措施,以防止过热。

    总结和推荐


    总体而言,NTLJD3119C 在性能、可靠性和环境适应性方面表现优异,非常适合于各种便携式设备的电源管理及显示控制应用。其独特的特点和较低的功耗使其成为同类产品中的佼佼者。推荐广大电子工程师在相关设计中选用此款产品。

NTLJD3119CTAG参数

参数
配置
栅极电荷 3.7nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 3.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3.8A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 271pF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通道数量 2
FET类型 1个N沟道,1个P沟道
最大功率耗散 2.3W
长*宽*高 2mm*2mm*750μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTLJD3119CTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTLJD3119CTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTLJD3119CTAG NTLJD3119CTAG数据手册

NTLJD3119CTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.5819 ¥ 4.9172
10+ $ 0.4949 ¥ 4.1817
100+ $ 0.4167 ¥ 3.5208
250+ $ 0.3577 ¥ 3.0225
500+ $ 0.3308 ¥ 2.795
1000+ $ 0.2923 ¥ 2.47
3000+ $ 0.2615 ¥ 2.21
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