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NVMFD5C680NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NVMFD5C680NL系列, Vds=60 V, 26 A, DFN封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 14M-NVMFD5C680NLT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G概述

    MOSFET – Power, Dual N-Channel NVMFD5C680NL

    1. 产品简介


    NVMFD5C680NL是一款高性能的双N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率和紧凑设计而开发。该器件适用于多种电力转换和控制应用,如开关电源、电机驱动、电池管理等领域。它具有小尺寸封装(5x6 mm),适合于空间受限的设计,同时保持低导通电阻(RDS(on))以最小化导电损耗,并具备低栅极电荷(QG)和电容,以减少驱动损耗。

    2. 技术参数


    - 额定电压:漏源电压 VDSS = 60 V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20 V
    - 最大连续漏极电流:TC = 25°C时 ID = 26 A;TC = 100°C时 ID = 13 A
    - 功率耗散:TC = 25°C时 PD = 19 W;TC = 100°C时 PD = 9.5 W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C to +175°C
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 47 mJ
    - 最大门限电压:VGS(TH) = 1.2 ~ 2.2 V
    - 导通电阻:VGS = 10 V, ID = 5 A时 RDS(on) = 23 ~ 28 mΩ;VGS = 4.5 V, ID = 5 A时 RDS(on) = 33 ~ 41 mΩ
    - 总栅极电荷:VGS = 4.5 V, VDS = 48 V, ID = 10 A时 QG(TOT) = 2.0 nC;VGS = 10 V, VDS = 48 V, ID = 10 A时 QG(TOT) = 5.0 nC

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸封装:采用5x6 mm DFN8封装,适合紧凑设计。
    - 低RDS(on):最小化导电损耗。
    - 低QG和电容:减少驱动损耗。
    - 湿性侧翼选项:提供增强的光学检测选项。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车电子领域。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFD5C680NL常用于高效率的开关电源、电机驱动系统、电池管理系统和其他需要紧凑和高效设计的应用。例如,在一个开关电源的设计中,可以通过使用NVMFD5C680NL来降低整体损耗并提高效率。为了优化性能,建议在高温环境下工作时考虑散热措施,以避免因过热而导致器件损坏。此外,合理选择栅极电阻可以进一步优化开关特性。

    5. 兼容性和支持


    NVMFD5C680NL与大多数常见的电路板兼容,可广泛应用于不同的电力转换系统。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、数据表和应用笔记,以确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流条件下运行时,器件过热。
    解决办法:增加散热片或改善PCB散热设计,确保工作环境温度在正常范围内。
    - 问题:导通电阻不稳定。
    解决办法:检查连接和焊接点是否良好,确认栅极电压在有效范围内。
    - 问题:在开关操作过程中出现振铃现象。
    解决办法:适当调整栅极电阻值,或者添加合适的RC吸收网络以抑制振铃。

    7. 总结和推荐


    NVMFD5C680NL以其紧凑的设计、低导通电阻和卓越的电气特性成为一款高性能的双N沟道功率MOSFET。它非常适合于需要高效率和稳定性的应用场合。结合其丰富的技术支持资源,NVMFD5C680NL是值得推荐的一款产品。无论是在工业自动化、电力转换还是消费电子产品中,这款器件都表现出了卓越的性能和可靠性。

NVMFD5C680NLT1G参数

参数
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 13µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 5A,10V
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3W
Id-连续漏极电流 7.5A,26A
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 2nC@ 4.5V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFD5C680NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5C680NLT1G数据手册

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NVMFD5C680NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 24.979
10+ ¥ 22.3847
30+ ¥ 19.6549
100+ ¥ 19.1089
300+ ¥ 18.3774
1000+ ¥ 17.8421
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