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FDFMA2P853

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.4W(Ta) 8V 1.3V@ 250µA 6nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 120mΩ@ 3A,4.5V 3A 435pF@10V MICROFET-6 贴片安装 2mm*2mm*780μm
供应商型号: FL-FDFMA2P853
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDFMA2P853

FDFMA2P853概述

    FDFMA2P853 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

    产品简介


    FDFMA2P853 是一款专为电池充电开关设计的单封装解决方案,适用于手机和其他超便携应用。这款器件集成了一个具有低导通电阻的P通道PowerTrench® MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管,以实现最小化的导通损耗。其微封装MicroFET 2x2 mm提供了出色的热性能,非常适合线性模式的应用。此外,该器件符合RoHS标准。

    技术参数


    - 电气特性:
    - MOSFET:
    - 漏源击穿电压 (VDSS): -20V
    - 最大连续漏电流 (ID): -3.0A
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=-4.5V时: 120 mΩ
    - VGS=-2.5V时: 160 mΩ
    - VGS=-1.8V时: 240 mΩ
    - 肖特基二极管:
    - 正向电压 (VF): < 0.46V @ 500mA
    - 热阻 (RTJA):
    - 当安装在1平方英寸2盎司铜箔上时: 86°C/W
    - 当安装在最小铜箔上时: 173°C/W
    - 绝对最大额定值:
    - 环境温度 (TA): 25°C
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    FDFMA2P853 的关键优势在于其紧凑的设计和出色的热性能。MicroFET 2x2 mm 封装允许该器件在有限的空间内实现高效的散热,适合便携式设备中使用。同时,其低导通电阻和快速的开关特性使其成为电池充电开关的理想选择。此外,低正向电压肖特基二极管进一步减少了功率损耗,提升了整体效率。

    应用案例和使用建议


    FDFMA2P853 主要应用于手机和其它便携式设备的电池充电电路中。这些设备需要高效且小型化的电源管理解决方案。使用建议包括:
    - 确保正确的布局和走线以提高散热效果。
    - 采用适当的热管理和保护措施,如散热片或散热器,以避免过热损坏。
    - 验证实际工作条件下的参数,确保满足特定应用需求。

    兼容性和支持


    FDFMA2P853 具有良好的兼容性,能够与其他电子元件或设备配合使用。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。如需更多技术支持,请访问官方网站或联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的正向电压 (VF)
    - 解决办法: 确保电路布局合理,避免不必要的电压降,或者更换为更适合的肖特基二极管。
    - 问题2: 导通电阻 (RDS(ON)) 过高
    - 解决办法: 检查是否使用了正确的电压 (VGS),并确保 MOSFET 工作在规定的电压范围内。
    - 问题3: 设备温度过高
    - 解决办法: 使用散热片或散热器,改善散热条件;确保电路布局有利于散热。

    总结和推荐


    FDFMA2P853 集成了高性能的P通道MOSFET和低正向电压肖特基二极管,为电池充电应用提供了卓越的性能和可靠性。其紧凑的设计和优秀的热性能使其成为便携式设备的理想选择。综合考虑其技术规格和市场应用,我们强烈推荐此产品用于电池充电开关等应用中。如需进一步验证性能,请咨询专业技术人员。

FDFMA2P853参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 3A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@ 250µA
配置 独立式withschottkydiode
Id-连续漏极电流 3A
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 1.4W(Ta)
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 6nC@ 4.5V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 435pF@10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 2mm*2mm*780μm
通用封装 MICROFET-6
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

FDFMA2P853厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDFMA2P853数据手册

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FDFMA2P853封装设计

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