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NVMFS3D0P04M8LT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),171W(Tc) 20V 2.4V@2mA 124nC@ 10 V 1个P沟道 40V 2.7mΩ@ 30A,10V 28A;183A 5.827nF@20V SO 贴片安装
供应商型号: Q-NVMFS3D0P04M8LT1G
供应商: 期货订购
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS3D0P04M8LT1G

NVMFS3D0P04M8LT1G概述

    MOSFET - Power, Single P-Channel

    1. 产品简介


    NVMFS3D0P04M8L 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的P通道功率MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(on)),高电流能力和浪涌能量指定等特性。此外,该产品符合汽车和其他特殊要求的独特场地和控制变更要求,符合AEC-Q101标准。它是一款无铅、无卤素/溴化阻燃剂且符合RoHS规定的器件,适用于需要这些特性的应用。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - VDSS(漏极到源极电压):-40V
    - V(BR)DSS(漏极到源极击穿电压):-40V
    - VGS(TH)(门阈值电压):-1.0V至-2.4V
    - V(BR)DSS/TJ(温度系数):12mV/°C
    - 电流参数
    - IDSS(零门电压漏极电流):-1.0µA(TJ = 25°C),-100µA(TJ = 125°C)
    - IDS(最大稳态连续漏极电流):-183A(TC = 25°C),-129A(TC = 100°C)
    - IDM(脉冲漏极电流):-900A(TP = 10µs)
    - 热阻参数
    - RθJC(结到壳热阻):0.9°C/W(稳态)
    - RθJA(结到环境热阻):39°C/W(稳态)
    - 其他参数
    - EAS(单脉冲漏极到源极雪崩能量):752mJ
    - gFS(正向跨导):205S
    - QG(总门电荷):58.7nC至124nC
    - tf(关断延迟时间):349ns
    - tr(上升时间):161ns
    - tRR(反向恢复时间):113ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:该MOSFET具有非常低的导通电阻(2.7mΩ@-10V),可以显著降低传导损耗。
    - 高电流能力:能够处理高达-183A的持续电流。
    - 雪崩能量指定:在极端情况下能提供可靠的保护。
    - 湿可焊侧面技术:提高焊接过程的可靠性和质量。
    - 符合环保标准:无铅、无卤素、无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于汽车电子、电源管理和工业控制系统等。
    - 使用建议:为确保最佳性能,建议在设计中合理布局并充分考虑散热问题,尤其是在高负载情况下。此外,应根据实际应用选择合适的栅极电阻和驱动电路以优化开关特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET与多种其他电子元件和系统兼容,适用于广泛的电子系统集成。
    - 支持和服务:安森美半导体提供全面的技术支持和客户服务,包括产品资料下载、在线技术支持和销售代表支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:设备在高电流条件下出现过热现象。
    - 解决方案:检查系统的散热设计,确保有足够的散热措施,如增加散热片或采用更高效的散热方案。

    - 问题二:设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号是否正确设置,确认驱动电路无误。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NVMFS3D0P04M8L 是一款高性能的P通道功率MOSFET,特别适合于需要高效、可靠工作的汽车和工业应用。其低导通电阻、高电流能力和优良的热性能使其在市场上具备很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品用于各种需要高效率和高可靠性电源管理的应用场合。

NVMFS3D0P04M8LT1G参数

参数
栅极电荷 124nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 28A;183A
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 3.9W(Ta),171W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.827nF@20V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@2mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7mΩ@ 30A,10V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NVMFS3D0P04M8LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS3D0P04M8LT1G数据手册

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NVMFS3D0P04M8LT1G封装设计

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