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FDMS7656AS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),96W(Tc) 20V 3V@1mA 133nC@ 10 V 1个N沟道 30V 1.8mΩ@ 30A,10V 31A,49A 8.705nF@15V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: 14M-FDMS7656AS
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS7656AS

FDMS7656AS概述

    FDMS7656AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 技术手册

    产品简介


    FDMS7656AS 是一种高性能的 N 沟道 PowerTrench® 同步整流场效应晶体管(SyncFET™),主要用于提高功率转换效率。它结合了先进的硅技术和封装设计,以提供极低的导通电阻(rDS(on))和卓越的开关性能。这款产品特别适用于同步整流器、笔记本电脑核心处理器、GPU 低压侧开关、网络点负载低压侧开关和电信次级侧整流等多种应用场合。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(BVDSS):30 V
    - 漏源逆向电压:24 V
    - 零栅源漏电流(IDSS):500 μA
    - 集电极电流(ID):49 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):242 mJ
    - 最大功率耗散(PD):96 W
    - 电阻参数
    - 导通电阻(rDS(on))
    - VGS = 10 V, ID = 30 A 时:1.3 mΩ ~ 1.8 mΩ
    - VGS = 7 V, ID = 27 A 时:1.5 mΩ ~ 1.9 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 25 A 时:1.6 mΩ ~ 2.0 mΩ
    - VGS = 10 V, ID = 30 A, TJ = 125 °C 时:1.8 mΩ ~ 2.5 mΩ
    - 电气特性
    - 输入电容(Ciss):6545 pF ~ 8705 pF
    - 输出电容(Coss):2465 pF ~ 3280 pF
    - 反向传输电容(Crss):210 pF ~ 315 pF
    - 转导电容(gFS):161 S
    - 热特性
    - 结壳热阻(RθJC):1.3 °C/W
    - 结温到环境热阻(RθJA):50 °C/W

    产品特点和优势


    FDMS7656AS 的主要特点是其超低的导通电阻(1.8 mΩ)和高效率,能够显著减少电源转换过程中的能量损耗。其内置的高效单片肖特基体二极管进一步增强了整体性能。此外,FDMS7656AS 采用 MSL1 封装,具有出色的可靠性,且通过了 100% 的 UI 测试,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    FDMS7656AS 广泛应用于多种场合,如同步整流器、笔记本电脑的核心处理器、GPU 低压侧开关、网络点负载低压侧开关和电信次级侧整流等。根据这些应用场景,建议用户根据具体的工作环境选择合适的驱动电路,以确保最佳性能。特别是在高温环境下使用时,需注意散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    FDMS7656AS 支持与大多数标准 N 沟道场效应晶体管(MOSFET)相同的电路设计。ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品温度过高 | 加强散热措施,使用合适的散热器 |
    | 导通电阻过大 | 确保正确连接并检查是否有损坏 |
    | 雪崩能量不足 | 重新设计电路,确保符合要求 |

    总结和推荐


    综上所述,FDMS7656AS 是一款具备卓越性能和高可靠性的 N 沟道同步整流场效应晶体管。其优异的导通电阻和高效的肖特基体二极管使其成为电力转换应用的理想选择。推荐在需要高效能和高可靠性的场合下使用此产品。
    本篇文章整理了 FDMS7656AS 的关键技术和应用信息,希望对读者有所帮助。更多详细资料和最新的技术支持请访问 ON Semiconductor 官方网站。

FDMS7656AS参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8mΩ@ 30A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 2.5W(Ta),96W(Tc)
栅极电荷 133nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.705nF@15V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 31A,49A
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS7656AS厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS7656AS数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS7656AS FDMS7656AS数据手册

FDMS7656AS封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.921
10+ ¥ 4.4724
30+ ¥ 3.5026
100+ ¥ 3.0974
300+ ¥ 2.9816
3000+ ¥ 2.8947
库存: 2999
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
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