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HUF75637P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 155W(Tc) 20V 4V@ 250µA 108nC@ 20 V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 44A,10V 44A 1.7nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: AMS-HUF75637P3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF75637P3

HUF75637P3概述

    HUF75637P3, HUF75637S3S UltraFET® Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HUF75637P3 和 HUF75637S3S 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的 N-Channel UltraFET® 功率 MOSFET。这两种型号具备低导通电阻(0.030Ω),适用于多种高电流和高电压的应用场合,如开关电源、马达控制和其他需要高功率密度的应用。它们广泛应用于工业、汽车和消费电子等领域。

    技术参数


    以下列出了关键的技术规格和电气特性:
    - 击穿电压:VDSS = 100V
    - 连续漏极电流:
    - TC=25°C, VGS=10V: ID = 44A
    - TC=100°C, VGS=10V: ID = 31A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 44A
    - 雪崩能量:UIS = 155W
    - 热阻抗:
    - RθJC (TO-220 & TO-263): 0.97°C/W
    - RθJA: 62°C/W
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 175°C
    这些技术参数表明该产品能够承受高电压和高电流,适用于要求苛刻的应用场景。

    产品特点和优势


    HUF75637P3 和 HUF75637S3S 的独特功能包括:
    - 超低导通电阻:RDS(ON) = 0.030Ω(VGS=10V)
    - 仿真模型:提供温度补偿的 PSPICE® 和 SABER™ 电气模型,以及 SPICE 和 SABER 热阻抗模型。
    - 峰值电流与脉宽曲线:支持分析设备在不同条件下的表现。
    - UIS评级曲线:提供设备在雪崩模式下的耐用性。
    这些特点使其成为高效率、高可靠性应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    HUF75637P3 和 HUF75637S3S 主要应用于开关电源、电机驱动器、逆变器等需要高电流和高电压的场景。以下是几种使用建议:
    1. 电路设计:根据具体应用场景,合理选择器件封装(TO-220AB 或 TO-263AB)以满足散热需求。
    2. 散热管理:考虑设备的热阻抗,确保良好的散热机制以防止过热。
    3. 系统集成:利用其仿真模型进行电路模拟和优化,确保系统稳定运行。

    兼容性和支持


    HUF75637P3 和 HUF75637S3S 可以与其他标准电气元器件轻松集成。Fairchild Semiconductor 提供全面的支持服务,包括技术文档、应用笔记和在线技术支持。此外,还提供了详尽的电气模型和热模型,方便工程师在设计过程中进行准确的模拟和验证。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理高电流时的发热问题?
    - 解决方案:合理选择散热片,确保良好的空气流动和散热路径。另外,可以通过降低 VGS 来减少功耗。
    2. 设备长时间工作后的稳定性问题?
    - 解决方案:定期检查设备的工作状态,确保其在安全范围内工作。如果发现异常情况,应及时更换或修理。
    3. 选择正确的封装?
    - 解决方案:根据实际应用场景的电流和电压需求,选择合适的封装类型(TO-220AB 或 TO-263AB)。

    总结和推荐


    HUF75637P3 和 HUF75637S3S 是高可靠性的功率 MOSFET,以其低导通电阻、高性能的电气特性和丰富的仿真模型赢得了市场的认可。对于需要高电流和高电压的应用,这些产品是理想的选择。推荐在设计和开发相关应用时优先考虑使用这些产品。

HUF75637P3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 108nC@ 20 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 44A,10V
Id-连续漏极电流 44A
最大功率耗散 155W(Tc)
配置 独立式
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

HUF75637P3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF75637P3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUF75637P3 HUF75637P3数据手册

HUF75637P3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 5.928 ¥ 49.7952
100+ $ 5.868 ¥ 49.2912
500+ $ 5.832 ¥ 48.9888
999+ $ 5.808 ¥ 48.7872
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