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NTD4906NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.38W(Ta),37.5W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 24nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.5mΩ@ 30A,10V 14A 1.932nF@15V TO-252 贴片安装
供应商型号: CEI-NTD4906NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4906NT4G

NTD4906NT4G概述


    产品简介


    NTD4906N 功率 MOSFET
    NTD4906N 是一款由 ON Semiconductor 制造的单 N 沟道功率 MOSFET。它主要用于 CPU 电源供应和 DC-DC 转换器等领域。这款 MOSFET 具有低 RDS(on)、低电容和优化的栅极电荷等特点,可以有效降低传导损耗、驱动损耗和开关损耗。此外,该器件为无铅设计,并且符合 RoHS 标准。

    技术参数


    以下是 NTD4906N 的技术规格:
    - 额定电压 (VDSS):30 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):TA = 25°C 时 14 A;TA = 100°C 时 9.9 A
    - 最大漏极功耗 (PD):TA = 25°C 时 2.6 W;TA = 100°C 时 1.38 W
    - 瞬态漏极电流 (IDM):223 A
    - 最大工作温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 源极电流 (IS):32 A
    - 输入电容 (Ciss):1932 pF
    - 输出电容 (Coss):642 pF
    - 反向传输电容 (Crss):19 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 30 A 时 11 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 15 A 时 13 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 15 A 时 20 ns
    - 雪崩能量 (EAS):TJ = 25°C, VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0.1 mH, IL(pk) = 31 A, RG = 25 Ω 时 48 mJ

    产品特点和优势


    NTD4906N 的主要优势在于其低 RDS(on) 和低电容,这有助于显著减少传导损耗和驱动损耗。其优化的栅极电荷有助于降低开关损耗。此外,该器件采用无铅设计,符合环保要求。适用于 CPU 电源供应和 DC-DC 转换器,具有高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - CPU 电源供应:NTD4906N 可用于提供稳定的电源,确保处理器稳定运行。
    - DC-DC 转换器:适用于需要高效转换的应用,如电信设备、数据中心等。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意选择合适的栅极电阻,以优化开关性能。
    - 确保散热良好,特别是在高温环境下使用时,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    NTD4906N 提供两种封装:DPAK 和 IPAK。这两种封装均可满足不同应用的需求。制造商提供了详细的订购信息和热阻参数,以帮助用户进行选型。此外,ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确选择栅极电阻?
    解决方案:根据负载特性和开关频率,选择适当的栅极电阻值。一般建议通过实验来确定最佳值。
    问题2:在高温环境下如何确保可靠运行?
    解决方案:使用高效的散热装置,例如散热片或散热器,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐


    NTD4906N 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合于 CPU 电源供应和 DC-DC 转换器等应用。其低 RDS(on)、低电容和优化的栅极电荷等特点使其成为同类产品中的佼佼者。此外,该器件符合环保标准,具有广泛的兼容性。我们强烈推荐在相关应用中使用该产品。

NTD4906NT4G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 14A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 24nC@ 10 V
最大功率耗散 1.38W(Ta),37.5W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.932nF@15V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTD4906NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4906NT4G数据手册

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NTD4906NT4G封装设计

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