处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS5C670NWFT1G

NVMFS5C670NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),61W(Tc) 4V@ 53µA 14.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 7mΩ@ 11A,10V 71A 1.035nF@30V SO 贴片安装
供应商型号: FL-NVMFS5C670NWFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C670NWFT1G

NVMFS5C670NWFT1G概述

    MOSFET – Power, Single N-Channel NVMFS5C670N 技术手册

    产品简介


    NVMFS5C670N 是一款单个 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由安森美半导体公司(ON Semiconductor)设计和制造。这种功率 MOSFET 以其紧凑的设计和高性能而闻名,适用于多种应用场合,如电源转换、电机控制、汽车电子系统等。它的特点是具备低导通电阻和快速开关能力,从而有效降低功耗和提升效率。

    技术参数


    - 额定电压:漏极到源极电压(VDSS):60 V
    - 连续漏极电流:71 A (TC = 25°C),50 A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流:440 A (tp = 10 μs)
    - 导通电阻(RDS(on)):7.0 mΩ (VGS = 10 V, ID = 11 A)
    - 阈值电压:2.0 V 至 4.0 V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):10 μA (TJ = 25°C),250 μA (TJ = 125°C)
    - 反向恢复时间(tRR):40 ns
    - 最大结温(TJ):-55°C 到 +175°C
    - 热阻:稳态结到壳电阻(RJC):2.4 °C/W

    产品特点和优势


    - 紧凑的外形:5x6 mm 封装,适合紧凑型设计。
    - 低 RDS(on):7.0 mΩ,显著减少导通损耗。
    - 低 QG 和电容:最小化驱动损耗,提升效率。
    - 湿可焊翼选项:提供 NVMFS5C670NWF 型号,增强了光学检测能力。
    - 符合 AEC-Q101 标准:适用于汽车应用。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:环保合规。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 在汽车电子、工业自动化、通信设备等领域有着广泛的应用。例如,在汽车电子系统中,它用于控制和保护电池和充电电路。在使用过程中,建议遵循以下几点:
    - 散热管理:确保良好的热设计,以避免过热损坏。
    - 适当的选择门极驱动电阻:根据具体应用调整 RG 的大小,以实现最佳开关性能。
    - 考虑负载条件:选择合适的 MOSFET,以满足不同工作条件下的电流需求。

    兼容性和支持


    - 封装类型:DFN5 和 DFNW5。
    - 封装尺寸:5x6 mm。
    - 制造商支持:安森美半导体提供全面的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备温度过高
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或改进 PCB 设计。
    - 问题2:开关性能不佳
    - 解决方案:检查门极驱动电阻的值,调整至推荐值。
    - 问题3:漏电流过大
    - 解决方案:确保 MOSFET 的漏极和源极之间没有短路,检查门极驱动信号的正确性。

    总结和推荐


    NVMFS5C670N 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高效率和紧凑设计的应用场合。其出色的热稳定性、低导通电阻和优秀的开关性能使其在市场上具有很强的竞争优势。无论是汽车电子、工业自动化还是其他相关领域,这款 MOSFET 都是理想的选择。强烈推荐在需要高性能和可靠性的应用场景中使用此产品。

NVMFS5C670NWFT1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 3.6W(Ta),61W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 53µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.035nF@30V
栅极电荷 14.4nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 71A
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 11A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C670NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C670NWFT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C670NWFT1G NVMFS5C670NWFT1G数据手册

NVMFS5C670NWFT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.1048 ¥ 9.2917
库存: 13500
起订量: 544 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 9.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336