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NTHD2102PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.1W 8V 1.5V@ 250µA 16nC@ 2.5V 2个P沟道 8V 58mΩ@ 3.4A,4.5V 3.4A 715pF@6.4V CHIPFET-8 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1.05mm
供应商型号: NTHD2102PT1GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTHD2102PT1G

NTHD2102PT1G概述

    NTHD2102P 双P通道芯片场效应晶体管技术手册

    1. 产品简介


    NTHD2102P 是一款双P通道芯片场效应晶体管(ChipFET),专为电池管理和负载管理应用而设计。该产品提供超低导通电阻(RDS(on))解决方案,并具有紧凑的外形设计,适用于空间受限的应用场景,如便携式电子产品、MP3播放器、手机、数码相机和个人数字助理等。这款MOSFET不仅体积小,还具有较低的栅极驱动电压要求,便于集成到现有电路设计中。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):−8.0 V
    - 栅源电压(VGS):−8.0 V 至 +8.0 V
    - 漏极电流(ID):连续−3.4 A,峰值−4.6 A
    - 最大功率耗散(PD):1.1 W @ 25°C(连续),2.1 W @ 25°C(5秒)
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):−55°C 至 +150°C
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):典型值50 mΩ @ −4.5 V,典型值68 mΩ @ −2.5 V,典型值100 mΩ @ −1.8 V
    - 电气特性
    - 输入电容(Ciss):典型值715 pF @ −6.4 V
    - 输出电容(Coss):典型值160 pF @ VGS = 0 V
    - 转移电容(Crss):典型值120 pF @ f = 1.0 MHz
    - 开启延迟时间(td(on)):典型值8.0 ns @ VDD = −6.4 V
    - 关闭延迟时间(td(off)):典型值20 ns @ ID = −3.2 A
    - 上升时间(tr):典型值20 ns @ VGS = −4.5 V
    - 下降时间(tf):典型值15 ns @ RG = 2.0 Ω

    3. 产品特点和优势


    - 超低导通电阻:NTHD2102P 的 RDS(on) 在不同电压下的典型值分别为 50 mΩ、68 mΩ 和 100 mΩ,确保高效的电流控制。
    - 紧凑封装:相比TSOP−6,其占板面积减少40%,适合空间有限的设计。
    - 低剖面设计:<1.1 mm 的高度使其易于适应薄型环境,如便携式电子产品。
    - 宽范围工作电压:低至1.8 V 的工作电压,满足许多逻辑集成电路在便携式电子产品中的应用需求。
    - 简化设计:无需额外的栅极电压提升电路,便于集成。
    - 环保材料:提供无铅封装,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电池和负载管理:例如,手机和平板电脑中的电源管理。
    - 充电控制:用于电池充电电路中的开关控制。
    - DC/DC转换器:应用于升压和降压转换器中。
    - 使用建议:
    - 散热管理:鉴于较高的功耗和温度敏感性,需要采取有效的散热措施,如加装散热片或改进PCB设计以提高热导率。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够的电压和电流,以保证MOSFET的正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTHD2102P 采用标准化的 ChipFET 封装,与其他类似封装的产品兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括数据手册、应用指南和技术咨询服务。此外,可以通过其官方网站获取更多资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断NTHD2102P是否损坏?
    - 解决方案:检查漏源电压(VDSS)是否在−8.0 V 到 +8.0 V 之间,以及栅源电压(VGS)是否在−8.0 V 到 +8.0 V 之间。

    - 问题2:如何处理过高的温度问题?
    - 解决方案:添加散热片,优化PCB布局,使用更高效的散热材料,确保良好的空气流通。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTHD2102P 是一款出色的双P通道芯片场效应晶体管,具备超低导通电阻、紧凑封装、宽工作电压范围等优点。该产品特别适用于电池管理和负载管理的应用场景。考虑到其高性价比和出色的电气性能,强烈推荐使用 NTHD2102P 作为高性能电源管理解决方案的首选。

NTHD2102PT1G参数

参数
通道数量 2
FET类型 2个P沟道
配置
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@ 3.4A,4.5V
最大功率耗散 1.1W
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 3.4A
Vds-漏源极击穿电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 715pF@6.4V
栅极电荷 16nC@ 2.5V
长*宽*高 3.05mm*1.65mm*1.05mm
通用封装 CHIPFET-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTHD2102PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTHD2102PT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTHD2102PT1G NTHD2102PT1G数据手册

NTHD2102PT1G封装设计

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