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FDP047N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 375W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 210nC@ 10 V 1个N沟道 100V 4.7mΩ@ 75A,10V 120A 15.265nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: AV-S-ONSFDP047N10
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP047N10

FDP047N10概述

    FDP047N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET

    产品简介


    FDP047N10 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor 的一部分)生产的 N-Channel PowerTrench® MOSFET。这款 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和低栅极电荷的特点,适用于多种电力转换和控制应用。

    技术参数


    以下是 FDP047N10 的主要技术规格:
    - 额定电压 (VDSS):100 V
    - 连续漏极电流 (ID):164 A(硅限制),120 A(封装限制)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):656 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):1153 mJ
    - 门体泄漏电流 (IGSS):±100 nA(VGS = ±20 V, VDS = 0 V)
    - 阈值电压 (VGS(th)):2.5 - 4.5 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):3.9 mΩ(典型值,VGS = 10 V, ID = 75 A)
    - 门电荷 (Qg(tot)):160 - 210 nC(VDS = 80 V, ID = 75 A, VGS = 10 V)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):低至 3.9 mΩ,这使得该 MOSFET 在高电流应用中具有显著的优势。
    - 高速开关能力:低栅极电荷减少了开关损耗,提高了系统的整体效率。
    - 高功率处理能力:能够处理高达 164 A 的连续漏极电流。
    - RoHS 合规:符合环保标准,满足市场对无铅化的要求。
    - 高可靠性:采用先进的 PowerTrench® 工艺制造,确保长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    FDP047N10 MOSFET 主要应用于以下领域:
    - 同步整流:用于 ATX/服务器/通信电源系统,提高效率。
    - 电池保护电路:保护电池免受过载和短路影响。
    - 电机驱动和不间断电源 (UPS):提供高效的电力控制。
    - 微型太阳能逆变器:适用于小型光伏系统。
    使用建议:
    - 在设计中选择合适的驱动器以减少开关损耗。
    - 考虑散热措施,确保在高功率应用中的稳定性。
    - 注意在极端温度下的性能变化,合理选择工作条件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDP047N10 可与其他 Fairchild Semiconductor 产品无缝集成,保证系统的一致性和可靠性。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手和解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:MOSFET 导通电阻过高。
    - 解决方案:检查工作电压和电流是否超出规定范围;确认是否有外部因素导致散热不良。
    - 问题 2:在高频应用中出现振铃现象。
    - 解决方案:调整栅极电阻以减小开关时间,或者增加缓冲电路来吸收振铃能量。

    总结和推荐


    FDP047N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高效能的电力管理器件,特别适合高电流和高可靠性的应用。其出色的低导通电阻和高速开关能力使其在多个领域表现出色。强烈推荐在需要高性能电力转换和控制的应用中使用此产品。务必注意遵循 ON Semiconductor 的指导文档和建议,以充分发挥其性能。

FDP047N10参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.7mΩ@ 75A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 210nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15.265nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 375W(Tc)
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FDP047N10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP047N10数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP047N10 FDP047N10数据手册

FDP047N10封装设计

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