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FDB120N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 170W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 100V 12mΩ@ 74A,10V 74A 5.605nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装
供应商型号: FDB120N10
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB120N10

FDB120N10概述

    FDB120N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FDB120N10 是一款 N 沟道 PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ON Semiconductor 生产。这种 MOSFET 主要用于电力管理和转换,特别是在高电流和高电压的应用环境中表现出色。产品主要用于同步整流、电池保护电路、电机驱动和不间断电源系统、微型太阳能逆变器等领域。

    2. 技术参数


    FDB120N10 的关键技术和性能参数如下:
    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    | : | : | : |
    | 栅极到源极电压 | ±20 V | - |
    | 漏极到源极电压 | - | 100 V |
    | 漏极连续电流 (TC = 25°C) | - | 74 A |
    | 漏极脉冲电流 | - | 296 A |
    | 单次脉冲雪崩能量 | - | 198 mJ |
    | 功耗 (TC = 25°C) | - | 170 W |
    | 热阻,结到壳 | - | 0.88 °C/W |
    | 热阻,结到环境 (最小铜垫 2 盎司) | - | 62.5 °C/W |
    其他关键电气特性包括:
    - 导通电阻 (RDS(on)):9.7 mΩ (典型值,VGS = 10 V, ID = 74 A)
    - 开关频率快
    - 低栅极电荷
    - 高性能沟槽技术实现极低导通电阻
    - 高功率和电流处理能力
    - RoHS 合规

    3. 产品特点和优势


    FDB120N10 MOSFET 在同类产品中具有显著的优势:
    - 极低的导通电阻 (RDS(on) = 9.7 mΩ),使得其非常适合于高效率的电力管理应用。
    - 快速开关速度,提高了系统的整体效率。
    - 低栅极电荷有助于减少能耗。
    - 高性能的沟槽技术进一步提升了导通电阻的低值。
    - 具备高功率和电流处理能力。
    - RoHS 合规,适用于环保要求较高的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    FDB120N10 MOSFET 可广泛应用于多种设备和系统中,例如:
    - 同步整流器(ATX/服务器/电信电源系统)
    - 电池保护电路
    - 电机驱动及不间断电源系统
    - 微型太阳能逆变器
    在这些应用中,FDB120N10 MOSFET 可以显著提高系统的整体效率和可靠性。为了确保最佳性能,建议遵循以下使用建议:
    - 在选择合适的驱动器时,注意确保其可以承受所需的电压和电流水平。
    - 使用适当的散热设计,以避免因过热而导致的性能下降或损坏。

    5. 兼容性和支持


    ON Semiconductor 提供了广泛的文档和技术支持,包括详细的数据手册、应用笔记和技术指南。此外,该公司还提供了一整套的测试工具和开发资源,以帮助客户轻松集成和优化 FDB120N10 MOSFET 到他们的系统中。该产品与市场上常见的其他电子元器件和设备具有良好的兼容性。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:FDB120N10 无法正常工作
    - 解决方法:检查驱动器设置是否正确;检查外部电路连接和电源供应是否稳定。
    - 问题:温度过高导致过载
    - 解决方法:确保良好的散热设计,使用合适的散热器或其他冷却机制。
    - 问题:噪声过大
    - 解决方法:改善布线和布局设计,减少寄生电感和电容的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDB120N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET 在高效率电力管理应用中表现出色,具备出色的导通电阻、快速开关速度和低栅极电荷等特点。我们强烈推荐将其用于需要高效能电力转换的系统,如电源管理系统、电动车辆、可再生能源转换系统等。ON Semiconductor 为客户提供了一系列支持资源,确保您可以轻松地将 FDB120N10 集成到您的设计中。

FDB120N10参数

参数
最大功率耗散 170W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 74A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.605nF@25V
栅极电荷 86nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 74A
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDB120N10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB120N10数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB120N10 FDB120N10数据手册

FDB120N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1600+ ¥ 15.21
3200+ ¥ 14.95
6400+ ¥ 14.82
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