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NVMFS6H864NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W;250W 20V 2.35V@ 150uA 120nC@ 10V 1个N沟道 30V 1.4mΩ@ 50A,10V 40A;100A 7.2nF@ 15V 贴片安装
供应商型号: 863-NVMFS6H864NLWFT1
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H864NLWFT1G

NVMFS6H864NLWFT1G概述

    MOSFET – Power, Single N-Channel NVMFS6H864NL

    1. 产品简介


    NVMFS6H864NL 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,专为紧凑设计和高效率的应用而开发。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(QG)和低输入电容(CISS),使其适用于多种电子系统。这种 MOSFET 在电源管理和电机控制等领域有着广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    以下是该 MOSFET 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS 80 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 29 | 38 | mΩ |
    | 栅极阈值电压 | VGS(TH) | 1.2 | 2.0 V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS 10 | 100 | nA |
    | 峰值漏极电流 | IDM 97 | A |
    | 门到源电荷 | QGS 1.7 nC |
    | 门到漏电荷 | QGD 1.4 nC |
    | 总门电荷 | QG(TOT) 4 nC |
    | 瞬态响应时间 | td(ON) | 8 ns |
    | 上升时间 | tr 6 ns |
    | 关断延时 | td(OFF) 12 ns |
    | 下降时间 | tf 4 ns |

    3. 产品特点和优势


    NVMFS6H864NL 主要特点包括:
    - 小巧封装:5x6 mm 封装,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:降低功耗和热量。
    - 低栅极电荷和电容:减少驱动损耗,提高开关速度。
    - 湿气检测选项:增强光学检测功能。
    - 符合行业标准:通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力。
    - 环保材料:无铅且符合 RoHS 标准。
    这些特点使其在各种电源管理和电机控制应用中表现出色,尤其是在空间有限和需要高效率的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册提供的信息,NVMFS6H864NL 可用于以下应用场景:
    - 电源转换:用于开关电源,提高效率并减少热损耗。
    - 电机驱动:提供稳定的电流输出,保证电机运行平稳。
    - 电池管理:用于便携式设备的电池保护电路,延长电池寿命。
    使用建议:
    - 散热管理:虽然具有较低的热阻,但在高功率应用中仍需考虑适当的散热措施。
    - 合理布局:在电路板上合理安排 MOSFET,以减少寄生效应和电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用标准的 DFN5 封装,易于与其他电子元件兼容。厂商提供详细的订购信息和支持服务,确保客户能够顺利使用和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热问题 | 使用散热片或风扇增强散热效果 |
    | 导通电阻异常增加 | 检查栅极驱动信号,确保合适 |
    | 开关速度慢 | 减少门电荷,优化驱动电路 |

    7. 总结和推荐


    NVMFS6H864NL 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,具有出色的低导通电阻、低栅极电荷和紧凑封装等特点。适用于多种高效率和紧凑设计的应用场景。推荐用于对性能和稳定性有较高要求的电源管理和电机控制领域。

NVMFS6H864NLWFT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.2nF@ 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 150uA
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 3.6W;250W
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 50A,10V
Id-连续漏极电流 40A;100A
栅极电荷 120nC@ 10V
通道数量 -
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H864NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H864NLWFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G数据手册

NVMFS6H864NLWFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.702 ¥ 14.3819
10+ $ 1.265 ¥ 10.6893
100+ $ 0.8272 ¥ 6.9898
500+ $ 0.6426 ¥ 5.43
1000+ $ 0.6307 ¥ 5.3296
1500+ $ 0.5735 ¥ 4.8459
3000+ $ 0.483 ¥ 4.0814
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