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FDPF12N50UT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 42W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 800mΩ@ 5A,10V 10A 1.395nF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: Q-FDPF12N50UT
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF12N50UT

FDPF12N50UT概述

    FDPF12N50UT — N-Channel UniFET™ Ultra FRFET™ MOSFET

    1. 产品简介


    FDPF12N50UT 是Fairchild半导体公司的一款高电压N沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),基于平面条纹技术和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术。这款MOSFET专为减少导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。它特别适用于电源转换应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯泡镇流器。

    2. 技术参数


    以下是FDPF12N50UT的技术规格和性能参数:
    - 额定电压 (VDSS):500 V
    - 最大栅极电压 (VGSS):±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):10 A(在25°C时),6 A(在100°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):40 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):456 mJ
    - 最大功耗 (PD):42 W(在25°C时)
    - 热阻 (RθJC):3.0 °C/W
    - 热阻 (RθJA):62.5 °C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.65 Ω(典型值,在VGS = 10 V,ID = 5 A时)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):0.65 Ω(典型值),显著降低功耗,提高效率。
    - 低栅极电荷 (Qg):典型值为21 nC,有助于减少驱动损耗。
    - 低反向传输电容 (Crss):典型值为11 pF,有助于改善开关性能。
    - 高可靠性:100%雪崩测试通过,保证了在极端条件下的稳定性。
    - 改进的dv/dt能力:具有更好的瞬态响应性能,提高了系统的可靠性和整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LCD/LED/PDP电视:用于电视电源转换器。
    - 照明系统:适用于各种照明设备。
    - 不间断电源 (UPS):提高电源转换器的效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应考虑低栅极电荷以减少驱动损耗。
    - 为了提高系统可靠性,应关注MOSFET的dv/dt能力,特别是在高频开关应用中。
    - 在高电流和高温度条件下使用时,应合理分配散热资源,以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    FDPF12N50UT采用TO-220F封装,易于安装和集成。ON Semiconductor提供了全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该产品的性能优势。此外,ON Semiconductor还提供详尽的产品文档和技术资料,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体的应用需求和电路设计,选择合适的栅极电阻以平衡驱动速度和功耗。通常情况下,可以通过实验来确定最佳的栅极电阻值。
    问题2:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:在设计时,需要充分考虑散热措施,如增加散热片或采用强制风冷等方式。确保在高温环境下MOSFET的工作温度不超过其最大允许值。
    问题3:如何应对瞬态过电压?
    - 解决方案:在电路设计中加入适当的保护措施,如TVS二极管或稳压器,以吸收瞬态过电压,保护MOSFET免受损坏。

    7. 总结和推荐


    总结:
    FDPF12N50UT是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性等特点。其卓越的性能使其在多种应用中表现出色,特别是在电源转换器和照明系统中。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐FDPF12N50UT作为电源转换和照明系统的首选MOSFET。在选择和使用过程中,建议详细阅读产品手册并遵循最佳实践,以充分发挥其性能优势。

FDPF12N50UT参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.395nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 42W(Tc)
栅极电荷 30nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 5A,10V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

FDPF12N50UT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF12N50UT数据手册

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FDPF12N50UT封装设计

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