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NVTFS4C05NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),68W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.6mΩ@ 30A,10V 22A,102A 1.988nF@15V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: NVTFS4C05NTAG
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS4C05NTAG

NVTFS4C05NTAG概述

    NVTFS4C05N MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVTFS4C05N 是一种单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 8FL 封装。它主要用于需要低损耗特性的电源管理应用,例如开关电源(SMPS)、电池充电器和电机驱动系统。该 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on)),低栅极电荷(QG(TOT))以及低电容(CISS),能够在高频开关应用中提供卓越的性能。

    技术参数


    NVTFS4C05N 的主要技术规格如下:
    - 最大电压 (VDSS):30 V
    - 连续漏极电流 (ID):22 A (TA = 25°C),15.7 A (TA = 100°C)
    - 总功耗 (PD):3.2 W (TA = 25°C),1.6 W (TA = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):433 A (tp = 10 μs)
    - 热阻 (RJA):47 °C/W (稳态)
    - 栅极到源极电压 (VGS):±20 V
    - 阈值电压 (VGS(TH)): 1.3 V 至 2.2 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.9 mΩ (VGS = 10 V, ID = 30 A),4.1 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)

    产品特点和优势


    NVTFS4C05N 的主要优势在于:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):能够显著减少传导损耗。
    - 低栅极电荷 (QG(TOT)):有助于降低驱动损耗并提高开关效率。
    - 低电容 (CISS):有助于降低动态损耗。
    - 湿气可渗透脚 (Wettable Flanks):提高焊点的可检查性。
    - 符合环保要求:无铅,无卤素,无溴化物,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    NVTFS4C05N 可以应用于各种高频开关电源和电池管理系统中。在具体使用过程中,用户可以遵循以下建议:
    - 散热设计:考虑到高电流应用时的热量管理,需要适当增加散热片或其他冷却措施。
    - 布局优化:在 PCB 布局时,确保栅极回路面积最小化,以减少杂散电感。
    - 驱动电路:使用合适的驱动电阻(RG)以优化开关时间。

    兼容性和支持


    NVTFS4C05N 可与各种其他电子元器件和设备兼容。制造商 ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册和参考设计文档。此外,产品具备湿气可渗透脚(Wettable Flanks)特性,方便焊接后的检查。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题,以下是可能遇到的问题及解决方案:
    - 问题:MOSFET 过热。
    - 解决办法:检查散热设计,增加散热片;确保适当的驱动电阻。
    - 问题:开关速度慢。
    - 解决办法:优化 PCB 布局,减小栅极回路面积;选择合适的驱动电阻。
    - 问题:导通电阻不稳定。
    - 解决办法:检查接线是否有松动,确保良好的连接。

    总结和推荐


    NVTFS4C05N 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高功率、高频开关应用。其低导通电阻和优化的栅极电荷使其在多种应用中表现出色。尽管价格可能略高于某些竞争产品,但其在能效和可靠性方面的优异表现使得其在实际应用中具有很高的性价比。因此,我们强烈推荐在高效率电源管理设计中选用此款 MOSFET。

NVTFS4C05NTAG参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6mΩ@ 30A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 31nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 22A,102A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 3.2W(Ta),68W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.988nF@15V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NVTFS4C05NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS4C05NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG数据手册

NVTFS4C05NTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 4.75
5000+ ¥ 4.636
10000+ ¥ 4.484
20000+ ¥ 4.256
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起订量: 2500 增量: 2500
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