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NVMFD5C668NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W 20V SO-8FL
供应商型号: 488-NVMFD5C668NLWFT1GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5C668NLWFT1G

NVMFD5C668NLWFT1G概述

    MOSFET – Power, Dual N-Channel NVMFD5C668NL 技术手册

    产品简介


    MOSFET – Power, Dual N-Channel NVMFD5C668NL 是一款高性能的双N沟道功率MOSFET。该器件专为需要高效率、小尺寸的应用而设计。它的主要功能包括低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,低栅极电荷(QG)以降低驱动损耗。NVMFD5C668NL 还具有增强的湿法钝化选项(NVMFD5C668NLWF),用于提高光学检测的性能。此外,该器件通过了AEC-Q101认证,并且是无铅且符合RoHS标准的产品。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):60 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 持续漏电流(ID):68 A (TC=25°C),48 A (TC=100°C)
    - 功率耗散(PD):57.5 W (TC=25°C),29 W (TC=100°C)
    - 单脉冲漏源雪崩能量(EAS):205 mJ (TJ=25°C)
    - 最大结温(TJ):-55 至 +175 °C
    - 热阻抗:
    - 结至外壳热阻(RJC):2.6 °C/W
    - 结至环境热阻(RJA):50.26 °C/W
    - 电气特性:
    - 关态参数:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):60 V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):10 μA (TJ=25°C),250 μA (TJ=125°C)
    - 栅源漏电流(IGSS):100 nA
    - 开态参数:
    - 栅阈电压(VGS(TH)):1.2 至 2.0 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):5.4 至 6.5 mΩ (VGS=10 V),7.4 至 9.2 mΩ (VGS=4.5 V)

    产品特点和优势


    NVMFD5C668NL的主要特点包括:
    - 小封装(5x6 mm)适合紧凑设计
    - 低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗
    - 低栅极电荷(QG)和电容以降低驱动损耗
    - 增强的湿法钝化选项(NVMFD5C668NLWF)提升光学检测性能
    - AEC-Q101认证和PPAP能力
    - 无铅且符合RoHS标准
    这些特性使得NVMFD5C668NL 在汽车和工业应用中表现出色,提供了更高的可靠性、更低的成本和更好的性能。

    应用案例和使用建议


    NVMFD5C668NL适用于多种应用场景,例如:
    - 电机驱动
    - DC-DC转换器
    - 照明系统
    使用建议:
    - 在高频率应用中,选择较低的RDS(on)值以减少损耗。
    - 在需要高可靠性的应用中,可以考虑使用NVMFD5C668NLWF版本以提升光学检测的可靠性。

    兼容性和支持


    NVMFD5C668NL 支持焊接操作,并且具有良好的机械强度。Semiconductor Components Industries 提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间工作后,器件温度升高如何处理?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如采用合适的PCB布局和散热片,以保持器件工作在安全温度范围内。

    - 问题:如何确保器件正常运行?
    - 解决方案:遵循数据手册中的建议,正确连接电源和接地线,并确保输入电压不超过最大额定值。

    总结和推荐


    NVMFD5C668NL是一款高性能、可靠的双N沟道功率MOSFET,适用于各种高要求的应用场合。其出色的性能和多样的功能使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐使用此器件来满足您的应用需求。

NVMFD5C668NLWFT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3W
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SO-8FL
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFD5C668NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5C668NLWFT1G数据手册

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NVMFD5C668NLWFT1G封装设计

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