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FCH085N80-F155

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 446W(Tc) 20V 4.5V@4.6mA 255nC@ 10 V 1个N沟道 800V 85mΩ@ 23A,10V 46A 10.825nF@100V TO-247-3 通孔安装 15.87mm*4.82mm*20.82mm
供应商型号: FL-FCH085N80-F155
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCH085N80-F155

FCH085N80-F155概述

    MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 800 V, 46 A, 85 mΩ

    产品简介


    SUPERFET II MOSFET是安森美半导体推出的一种全新的高压超级结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和较低栅极电荷性能。这种技术专为减少导通损耗、提供出色的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量而设计。因此,SUPERFET II MOSFET非常适合用于诸如PFC、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源等开关电源应用。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压(VDSS):800 V
    - 栅源电压(VGSS):±20 V(直流);±30 V(交流,f > 1 Hz)
    - 连续漏极电流(ID):46 A(TC = 25°C),29 A(TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1701 mJ
    - 反复雪崩能量(EAR):4.4 mJ
    - 最大功率耗散(PD):446 W(TC = 25°C)
    - 电气特性:
    - 开启电阻(RDS(on)):典型值67 mΩ(VGS=10 V,ID=23 A)
    - 有效输出电容(Coss(eff.)):典型值568 pF
    - 总栅极电荷(Qg(tot)):典型值196 nC
    - 转导系数(gFS):典型值55 S
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻(RθJC):最大0.28°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):最大40.0°C/W

    产品特点和优势


    SUPERFET II MOSFET具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻:典型值为67 mΩ,适合高效率应用。
    - 超低栅极电荷:典型值为196 nC,有助于减少开关损耗。
    - 低雪崩能量:典型值为18 μJ(@ 400 V),确保更高的可靠性。
    - 100%雪崩测试通过:保证极端条件下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - AC-DC电源:广泛应用于开关电源的设计中,提高转换效率。
    - LED照明:高效能的功率开关,适合于大功率LED驱动电路。

    - 使用建议:
    - 确保散热良好,以避免过温现象。
    - 在设计电路时,合理选择驱动电阻,以控制栅极充电速度,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与大多数标准电源设计兼容。
    - 支持和维护:安森美半导体提供详细的技术文档和在线技术支持,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定产品的使用寿命?
    - 解决方案:通过查看数据手册中的绝对最大额定值表,了解器件的工作温度范围和最大功率耗散。结合实际应用环境进行计算。

    2. 问题:遇到过流情况时,器件如何保护自身?
    - 解决方案:MOSFET内置保护机制,如过流保护,确保器件不会因电流过大而损坏。具体参数可在电气特性表中查看。

    总结和推荐


    SUPERFET II MOSFET是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合于高效率的开关电源应用。其优异的电气特性和稳定的性能使其成为市场上非常有竞争力的产品。我们强烈推荐将其用于需要高可靠性和高效能的应用场景中。
    本文档全面介绍了SUPERFET II MOSFET的基本参数、应用和优势,希望对您的设计和选型有所帮助。

FCH085N80-F155参数

参数
最大功率耗散 446W(Tc)
栅极电荷 255nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 46A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4.6mA
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.825nF@100V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 23A,10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

FCH085N80-F155厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCH085N80-F155数据手册

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FCH085N80-F155封装设计

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